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1. (WO2013048503) APPARATUS AND METHOD FOR IMPLEMENTING A MULTI-LEVEL MEMORY HIERARCHY HAVING DIFFERENT OPERATING MODES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/048503    International Application No.:    PCT/US2011/054444
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 30.09.2011
IPC:
G06F 12/00 (2006.01), G06F 13/14 (2006.01), G11C 7/10 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard M/S: RNB-4-150 Santa Clara, CA 95052 (US) (For All Designated States Except US).
RAMANUJAN, Raj, K. [US/US]; (US) (For US Only).
AGARWAL, Rajat [US/US]; (US) (For US Only).
HINTON, Glenn, J. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: RAMANUJAN, Raj, K.; (US).
AGARWAL, Rajat; (US).
HINTON, Glenn, J.; (US)
Agent: WEBSTER, Thomas, C.; BLAKELY, SOKOLOFF, TAYLOR & ZAFMAN LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, CA 94085-4040 (US)
Priority Data:
Title (EN) APPARATUS AND METHOD FOR IMPLEMENTING A MULTI-LEVEL MEMORY HIERARCHY HAVING DIFFERENT OPERATING MODES
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ POUR METTRE EN ŒUVRE UNE HIÉRARCHIE DE MÉMOIRE MULTINIVEAU AYANT DIFFÉRENTS MODES DE FONCTIONNEMENT
Abstract: front page image
(EN)A system and method are described for integrating a memory and storage hierarchy including a non-volatile memory tier within a computer system. In one embodiment, PCMS memory devices are used as one tier in the hierarchy, sometimes referred to as "far memory." Higher performance memory devices such as DRAM placed in front of the far memory and are used to mask some of the performance limitations of the far memory. These higher performance memory devices are referred to as "near memory." In one embodiment, the "near memory" is configured to operate in a plurality of different modes of operation including (but not limited to) a first mode in which the near memory operates as a memory cache for the far memory and a second mode in which the near memory is allocated a first address range of a system address space with the far memory being allocated a second address range of the system address space, wherein the first range and second range represent the entire system address space.
(FR)L'invention porte sur un système et un procédé servant à intégrer une hiérarchie de mémoire et de stockage comprenant un niveau mémoire non volatile dans un système informatique. Selon un mode de réalisation, des dispositifs de mémoire PCMS sont utilisés comme étant un niveau dans la hiérarchie, parfois appelés « mémoire lointaine ». Des dispositifs de mémoire à plus haute performance, tels que de la DRAM, sont placés devant la mémoire lointaine et sont utilisés pour masquer certaines des limitations de performance de la mémoire lointaine. Ces dispositifs de mémoire à plus haute performance sont appelés « mémoire proche ». Selon un mode de réalisation, la « mémoire proche » est configurée pour fonctionner dans une pluralité de modes de fonctionnement différents comprenant (sans caractère limitatif) un premier mode dans lequel la mémoire proche joue le rôle d'un cache de mémoire pour la mémoire lointaine et un deuxième mode dans lequel la mémoire proche se voit attribuer une première plage d'adresses d'un espace d'adresse de système tandis que la mémoire lointaine se voit attribuer une seconde plage d'adresses de l'espace d'adresse de système, la première et la seconde plage représentant l'espace d'adresse de système entier.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)