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1. (WO2013047998) PREPARATION METHOD OF POROUS IMPLANT AND POROUS IMPLANT PREPARED THEREBY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/047998    International Application No.:    PCT/KR2012/006299
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 08.08.2012
IPC:
A61L 27/04 (2006.01), A61L 27/56 (2006.01), B22F 3/03 (2006.01), A61L 27/06 (2006.01)
Applicants: CORENTEC CO., LTD. [KR/KR]; 247, Giro-ri, Ipjang-myeon, Seobuk-gu, Cheonan-si Chungcheongnam-do 331-822 (KR) (For All Designated States Except US).
LEE, Won-Hee [KR/KR]; (KR).
SUN, Doo-Hoon [KR/KR]; (KR) (For US Only).
KIM, Jung-Sung [KR/KR]; (KR) (For US Only).
KIM, Yong-Hwa [KR/KR]; (KR) (For US Only).
CHO, Yu-Jeong [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: LEE, Won-Hee; (KR).
SUN, Doo-Hoon; (KR).
KIM, Jung-Sung; (KR).
KIM, Yong-Hwa; (KR).
CHO, Yu-Jeong; (KR)
Agent: KIM, Hyun-Soo; 2Fl., Seobang Bldg., 107-5, Yangjae-dong, Seocho-gu Seoul 137-130 (KR)
Priority Data:
10-2011-0098209 28.09.2011 KR
Title (EN) PREPARATION METHOD OF POROUS IMPLANT AND POROUS IMPLANT PREPARED THEREBY
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN IMPLANT POREUX ET IMPLANT POREUX PRÉPARÉ PAR LE BIAIS DE CE PROCÉDÉ
(KO) 다공성 임플란트의 제조방법 및 그로부터 제조된 다공성 임플란트
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a preparation method of a medical porous implant and a porous implant prepared thereby, and more specifically, to a preparation method of a porous implant and a porous implant prepared thereby, wherein the preparation method comprises: a filling step of filling a material comprising a metal powder and a ceramic powder into a mold; and a sintering step of applying 100-2,000 kgf/cm2 of pressure to the material filled in the mold and simultaneously generating 500-2000 A of current and 3-7 V of voltage using a spark plasma sintering device so as to allow current to flow throughthe material, thereby sintering the material at 800-1,400 ℃. The porous implant is harmless to the human body, and can be prepared within a short time at low temperatures, thereby reducing manufacturing costs.
(FR)La présente invention concerne un procédé de préparation d'un implant médical poreux et un implant poreux préparé par le biais de ce procédé. Plus particulièrement, l'invention concerne un procédé de préparation d'un implant poreux et un implant poreux préparé par le biais de ce procédé, le procédé de préparation comprenant : une étape de remplissage destinée à remplir un moule avec une substance comprenant une poudre métallique et une poudre céramique ; et une étape de frittage destinée à appliquer une pression de 100 à 2 000 kgf/cm2 sur la substance remplissant le moule et à générer simultanément un courant de 500 à 2 000 A et une tension de 3 à 7 V en utilisant un dispositif de frittage flash de sorte à permettre à un courant de circuler à travers la substance, permettant de mettre en œuvre le frittage de la substance à une température située dans la plage allant de 800 à 1 400 °C. L'implant poreux est inoffensif dans le corps humain, et peut être préparé en un temps court à de faibles températures, réduisant ainsi les coûts de fabrication.
(KO)본 발명은 의료용으로 사용되는 다공성 임플란트의 제조방법 및 그로부터 제조된 다공성 임플란트에 대한 것으로, 더욱 상세하게는 금속 분말 또는 세라믹 분말로 이루어진 원료를 몰드에 충진하는 충진단계와 통전소결장치를 이용하여 상기 몰드에 충진된 원료에 100 내지 2000㎏f/㎠의 압력을 가하는 동시에 500 내지 2000A의 전류와 3 내지 7V의 전압을 발생시켜 상기 원료를 통전시켜 800 내지 1400℃온도로 상기 원료를 소결하는 소결단계를 포함하여, 인체에 무해하고 낮은 온도로 빠른 시간 내에 제조할 수 있어 제조비용을 단축할 있는 다공성 임플란트의 제조방법 및 그로부터 제조된 다공성 임플란트에 대한 것이다.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Korean (KO)
Filing Language: Korean (KO)