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1. (WO2013047906) PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING COLOR FILTER, AND COLOR FILTER MANUFACTURED THEREBY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/047906    International Application No.:    PCT/JP2012/075873
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 28.09.2012
IPC:
G02B 5/20 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1060031 (JP)
Inventors: YOSHIBAYASHI, Mitsuji; (JP).
SUGISHIMA, Yasuo; (JP)
Agent: TAKAMATSU, Takeshi; Koh-Ei Patent Firm Toranomon East Bldg. 9F 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2011-215626 29.09.2011 JP
Title (EN) PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING COLOR FILTER, AND COLOR FILTER MANUFACTURED THEREBY
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN FILTRE DE COULEUR, ET FILTRE DE COULEUR AINSI FABRIQUÉ
Abstract: front page image
(EN)There is provided a pattern forming method, including: forming an organic film layer on a substrate; forming a patterned photoresist mask on the organic film layer; and performing a dry etching process to form a pattern on the organic layer, wherein the dry etching process includes: (1) a first dry etching using a first mixed gas containing oxygen and a halogen compound gas to partially remove the organic film layer so that the surface of the substrate is not exposed, and to form a removed portion in the organic film layer according to a shape of the patterned photoresist mask; and (2) after the first dry etching step, a second dry etching using a second mixed gas containing: oxygen; a halogen compound gas of which gas flow rate ratio to oxygen is lower as compared with the gas flow rate ratio of the halogen compound in the first dry etching step; and at least one type of a third gas selected from the group consisting of H2, N2, CH4 and CO, at a pressure of 8.0 Pa or less, so that the substrate under the organic film layer is exposed, wherein the flow rate of the halogen compound gas in the second dry etching is less than 1.0% of a total gas flow rate of the second mixed gas.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de motifs, comprenant les étapes consistant à : former une couche de film organique sur un substrat ; former un masque en résine photosensible avec motifs sur la couche de film organique ; et effectuer un processus de gravure sèche pour former un motif sur la couche organique, le processus de gravure sèche comprenant : (1) une première gravure sèche utilisant un premier gaz mixte contenant de l'oxygène et un gaz de composé halogène pour éliminer partiellement la couche de film organique de telle façon que la surface du substrat ne soit pas exposée, et pour former une partie éliminée dans la couche de film organique suivant une forme du masque en résine photosensible avec motifs ; et (2) après l'étape de première gravure sèche, une deuxième gravure sèche utilisant un deuxième gaz mixte contenant : de l'oxygène ; un gaz de composé halogène dont le rapport de débit de gaz à l'oxygène est plus faible par comparaison au rapport de débit de gaz du composé halogène lors de la première étape de gravure sèche ; et au moins un type d'un troisième gaz choisi dans le groupe constitué de H2, N2, CH4 et CO, à une pression de 8,0 Pa ou moins, de telle sorte que le substrat sous la couche de film organique soit exposé, le débit du gaz de composé halogène lors de la deuxième gravure sèche étant inférieur à 1,0% d'un débit total de gaz du deuxième gaz mixte.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)