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1. (WO2013047694) METHOD FOR MANUFACTURING MICROCRYSTALLINE Si-TFT SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/047694    International Application No.:    PCT/JP2012/074958
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 27.09.2012
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP)
Inventors: MIZUKI Toshio; .
KOHNO Akihiko; .
TANAKA Kohichi;
Agent: OKUDA Seiji; OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg., 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Priority Data:
2011-217978 30.09.2011 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING MICROCRYSTALLINE Si-TFT SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT TFT MICROCRISTALLIN EN Si ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 微結晶Si-TFT基板および半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of preparing a substrate (10) having a main surface, forming a first microcrystalline Si layer (18a) at a first temperature on the main surface of the substrate (10) while supplying a source gas containing Si, and, as a continuation after the step of forming the first microcrystalline Si layer, the step of forming a second microcrystalline Si layer (18b) at a second temperature lower than the first temperature on the first microcrystalline Si layer (18a) while supplying a source gas containing Si. The film adhesion of the first microcrystalline Si layer (18a) to the substrate is greater than the film adhesion of the second microcrystalline Si layer (18b) to the substrate.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur qui consiste à préparer un substrat (10) possédant une surface principale, à former une première couche microcristalline en Si (18a) à une première température sur la surface principale du substrat (10) tout en fournissant un gaz source contenant Si et, dans la continuité de l'étape de formation de la première couche microcristalline en Si, à former une seconde couche microcristalline en Si (18b) à une seconde température inférieure à la première température sur la première couche microcristalline en Si (18a) tout en fournissant un gaz source contenant Si. L'adhérence du film de la première couche microcristalline en Si (18a) sur le substrat est plus grande que celle de la seconde couche microcristalline en Si (18b) sur le substrat.
(JA) 半導体装置の製造方法は、主面を有する基板(10)を用意する工程と、基板(10)の主面上に、Siを含む原料ガスを供給しながら第1の温度で第1の微結晶Si層(18a)を形成する工程と、第1の微結晶Si層を形成する工程の後に続いて、第1の微結晶Si層(18a)の上に、Siを含む原料ガスを供給しながら第1の温度よりも低い第2の温度で第2の微結晶Si層(18b)を形成する工程とを包含する。第1の微結晶Si層(18a)の基板との膜密着性は、第2の微結晶Si層(18b)の基板との膜密着性よりも高い。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)