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1. (WO2013047575) UPPER ELECTRODE, PLASMA PROCESSING DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING ELECTRIC FIELD INTENSITY DISTRIBUTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/047575    International Application No.:    PCT/JP2012/074674
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 26.09.2012
IPC:
H05H 1/46 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (For All Designated States Except US).
MATSUYAMA, Shoichiro [JP/JP]; (JP) (US only).
ABE, Jun [JP/JP]; (JP) (US only).
ENDOU, Akira [JP/JP]; (JP) (US only)
Inventors: MATSUYAMA, Shoichiro; (JP).
ABE, Jun; (JP).
ENDOU, Akira; (JP)
Agent: KANEMOTO, Tetsuo; Hazuki International, Kakubari Building, 1-20, Sumiyoshi-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620065 (JP)
Priority Data:
2011-218169 30.09.2011 JP
61/549,371 20.10.2011 US
Title (EN) UPPER ELECTRODE, PLASMA PROCESSING DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING ELECTRIC FIELD INTENSITY DISTRIBUTION
(FR) ÉLECTRODE SUPÉRIEURE, DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE LA RÉPARTITION DE L'INTENSITÉ D'UN CHAMP ÉLECTRIQUE
(JA) 上部電極、プラズマ処理装置及び電界強度分布の制御方法
Abstract: front page image
(EN)An upper electrode for a parallel-plate plasma processing device, wherein the plasma processing device includes: a substrate formed from a desired dielectric material; an electrical conductor layer formed in a predetermined pattern on at least some of the surface of the substrate on a side facing a lower electrode of the plasma processing device; and an auxiliary electrical conductor layer formed in a predetermined pattern on the same surface of the substrate on the side that the electrical conductor layer is formed, the auxiliary electrical conductor layer being electrically independent from the electrical conductor layer. Turning a switch on or off operates the state of connection between the electrical conductor layer and the auxiliary electrical conductor layer.
(FR)La présente invention concerne une électrode supérieure pour un dispositif de traitement par plasma à faces parallèles, ledit dispositif comprenant : un substrat formé à partir d'un matériau diélectrique souhaité; une couche électroconductrice formée dans un motif prédéfini sur au moins une partie de la surface du substrat sur un côté tourné vers une électrode inférieure du dispositif de traitement par plasma; et une couche électroconductrice auxiliaire formée dans un motif prédéfini sur la même surface du substrat sur le côté où la couche électroconductrice est formée, la couche électroconductrice auxiliaire étant électriquement indépendante de la couche électroconductrice. La mise sous ou hors tension d'un commutateur fait fonctionner l'état de connexion entre la couche électroconductrice et la couche électroconductrice auxiliaire.
(JA) 平行平板型のプラズマ処理装置用の上部電極であって、所望の誘電体から形成された基材と、基材の表面のうち、少なくともプラズマ処理装置の下部電極に対向する側の表面の一部に所定のパターンで形成された導電体層と、基材における導電体層が形成された側と同じ表面に所定のパターンで形成され、導電体層とは電気的に独立した補助導電体層とを含み、スイッチを開閉操作することで、導電体層と補助導電体層との接続状態を操作する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)