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1. (WO2013047516) DIARYLAMINE NOVOLAC RESIN
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/047516    International Application No.:    PCT/JP2012/074551
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 25.09.2012
IPC:
C08G 16/02 (2006.01), G03F 7/11 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kandanishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
Inventors: SAKAMOTO, Rikimaru; (JP).
SOMEYA, Yasunobu; (JP).
HASHIMOTO, Keisuke; (JP).
NISHIMAKI, Hirokazu; (JP)
Agent: HANABUSA, Tsuneo; c/o Hanabusa Patent Office, Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1010062 (JP)
Priority Data:
2011-214555 29.09.2011 JP
Title (EN) DIARYLAMINE NOVOLAC RESIN
(FR) RÉSINE NOVOLAQUE À BASE DE DIARYLAMINE
(JA) ジアリールアミンノボラック樹脂
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a novel diarylamine novolac resin, such as phenyl naphthylamine novola resin, and to provide a composition for forming a resist underlayer film for use in a lithography process for a semiconductor device using the above resin. [Solution] A polymer including a structural unit (A) represented by formula (1) (in formula (1), Ar1 and Ar2 represent a benzene ring and a naphthalene ring respectively). A manufacturing method for a semiconductor device, the method including: a step for forming an underlayer film on a semiconductor substrate by means of a composition for forming a resist underlayer film; a step for forming a hard mask on the film; a step for forming a resist film on the hard mask; a step for forming a resist pattern by means of irradiation and development via light or electron beams; a step for etching the hard mask by means of the resist pattern; a step for etching the underlayer film by means of the patterned hard mask; and a step for finishing the semiconductor substrate by means of the patterned underlayer film.
(FR)L'invention a pour but de proposer une nouvelle résine novolaque à base de diarylamine, telle qu'une résine novolaque de phényl naphtylamine, et de proposer une composition pour former un film de sous-couche de résist destiné à être utilisé dans un procédé de lithographie pour un dispositif à semi-conducteur, à l'aide de la résine ci-dessus. A cet effet, l'invention concerne un polymère comprenant une unité structurale (A) représentée par la formule (1) (dans la formule (1), Ar1 et Ar2 représentent respectivement un noyau benzénique et un noyau naphtalénique). L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, le procédé comprenant : une étape pour former un film de sous-couche sur un substrat à semi-conducteur au moyen d'une composition pour former un film de sous-couche de résist; une étape pour former un masque dur sur le film; une étape pour former un film de résist sur le masque dur; une étape pour former un motif de résist au moyen d'irradiation ou de développement par la lumière ou des faisceaux électroniques; une étape d'attaque chimique du masque dur au moyen du motif de résist; une étape d'attaque chimique du film de sous-couche au moyen du masque dur à motif; et une étape pour finir le substrat à semi-conducteur au moyen du film de sous-couche à motif.
(JA)【課題】 新規なフェニルナフチルアミンノボラック樹脂等のジアリールアミンノボラック樹脂、更には該樹脂を用いた半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いるためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】 下記式(1):(式(1)中、Ar1、及びAr2はそれぞれベンゼン環、又はナフタレン環を示す)で示される単位構造(A)を含むポリマー。半導体基板にレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、レジストパターンによりハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)