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1. (WO2013047461) INK FOR FORMING COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/047461    International Application No.:    PCT/JP2012/074461
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 25.09.2012
IPC:
C01B 19/00 (2006.01), B82Y 40/00 (2011.01), H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: TOPPAN PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 5-1, Taito 1-chome, Taito-ku, Tokyo 1100016 (JP).
TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 2-12-1, Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 1528550 (JP)
Inventors: ZHANG, Yiwen; (JP).
YAMADA, Akira; (JP)
Agent: KURATA, Masatoshi; c/o SUZUYE & SUZUYE, 6th floor, Kangin-Fujiya Bldg. 1-3-2, Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2011-217028 30.09.2011 JP
2012-040060 27.02.2012 JP
Title (EN) INK FOR FORMING COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) ENCRE POUR FORMER UN FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 化合物半導体薄膜形成用インクおよびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention is a method for producing nanoparticles for forming a CZTS compound semiconductor thin film, wherein CZTS compound nanoparticles are obtained by reacting a solution that contains a metal salt or a metal complex with a solution that contains a chalcogenide salt. A CZTS compound semiconductor thin film can be formed by coating or printing and heat-treating the nanoparticles for forming a CZTS compound semiconductor thin film. A solar cell of the present invention is configured so as to comprise this CZTS compound semiconductor thin film as a light absorbing layer (103).
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de nanoparticules pour former un film mince semi-conducteur à base d'un composé sulfure de cuivre, zinc et étain (CZTS), où les particules du composé CZTS sont obtenues en faisant réagir une solution qui contient un sel ou un complexe métallique avec une solution qui contient un sel chalcogénure. Un film mince de semi-conducteur de composé CZTS peut être formé par revêtement ou impression et par traitement thermique des nanoparticules pour former un film mince semi-conducteur de composé CZTS. Une cellule solaire de la présente invention est configurée de façon à comporter ce film mince semi-conducteur de composé CZTS comme couche absorbant la lumière (103).
(JA) 金属塩または金属錯体を含む溶液とカルコゲニド塩を含む溶液とを反応させて、CZTS化合物ナノ粒子を得るCZTS化合物半導体薄膜形成用ナノ粒子の製造方法である。このCZTS化合物半導体薄膜形成用ナノ粒子を塗布または印刷し熱処理することにより、CZTS化合物半導体薄膜を形成することができ、このCZTS化合物半導体薄膜を光吸収層(103)として具備する太陽電池が構成される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)