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1. (WO2013047232) REGENERATION METHOD FOR TANTALUM COIL FOR SPUTTERING AND TANTLUM COIL OBTAINED BY REGENERATION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/047232    International Application No.:    PCT/JP2012/073586
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 14.09.2012
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/00 (2006.01)
Applicants: JX Nippon Mining & Metals Corporation [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP) (For All Designated States Except US).
TSUKAMOTO Shiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TSUKAMOTO Shiro; (JP)
Agent: OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, HATSUMEIKAIKAN 5F, 9-14, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2011-218017 30.09.2011 JP
Title (EN) REGENERATION METHOD FOR TANTALUM COIL FOR SPUTTERING AND TANTLUM COIL OBTAINED BY REGENERATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE RÉGÉNÉRATION D'UNE BOBINE DE TANTALE POUR PULVÉRISATION CATHODIQUE ET BOBINE DE TANTALE OBTENUE PAR LE PROCÉDÉ DE RÉGÉNÉRATION
(JA) スパッタリング用タンタル製コイルの再生方法及び該再生方法によって得られたタンタル製コイル
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a method for regenerating a tantalum coil for sputtering that is disposed between a substrate and a sputtering target wherein the method for regenerating the tantalum coil for sputtering is characterized by a surface being removed (cutting until a re-deposition film or knurling processing remains are eliminated) by a process of cutting the entire or part of the coil surface of a tantalum coil that has been used, eliminating a re-deposition film formed during sputtering, and thereafter, applying new knurling to the locations that have been cut. The problem addressed by the present invention is: during sputtering, sputtering particles are deposited (re-deposition) on the surface of the tantalum coil, which is disposed between the substrate and sputtering target; however, when sputtering is completed, the sputtering particles that have been deposited on the coil that has been used are to be eliminated by cutting, and the tantalum coil can thus be regenerated efficiently; thus, technology that can provide elimination of unnecessary production of new coils, increase productivity, and stably provide these coils is provided.
(FR)La présente invention concerne un procédé de régénération d'une bobine de tantale pour pulvérisation cathodique qui est disposée entre un substrat et une cible de pulvérisation cathodique, le procédé de régénération de la bobine de tantale pour pulvérisation cathodique étant caractérisé par une surface qui est retirée (découpe jusqu'à ce qu'un film de re-dépôt ou des restes de traitement de moletage soient éliminés) par un procédé de découpe de la totalité ou d'une partie de la surface de la bobine d'une bobine de tantale qui a été utilisée, une élimination d'un film de re-dépôt formé pendant la pulvérisation cathodique, et, par la suite, l'application d'un nouveau moletage aux emplacements qui ont été découpés. Le problème auquel s'attaque la présente invention est le suivant : pendant une pulvérisation cathodique, des particules de pulvérisation cathodique sont déposées (re-dépôt) sur la surface de la bobine de tantale, qui est disposée entre le substrat et la cible de pulvérisation cathodique; cependant, lorsque la pulvérisation cathodique est achevée, les particules de pulvérisation cathodique qui ont été déposées sur la bobine qui a été utilisée doivent être éliminées par découpe, et la bobine de tantale peut ainsi être régénérée de manière efficace. Ainsi, l'invention propose une technologie qui peut fournir une élimination de production non nécessaire de nouvelles bobines, augmenter la productivité et fournir de façon stable ces bobines.
(JA)基板とスパッタリングターゲットとの間に配置するスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法であって、使用済みのタンタル製コイルをコイル全面あるいは一部を切削加工により、一面引き(リデポ膜及びナーリング加工跡がなくなるまで切削)して、スパッタリング中に形成されたリデポ膜を除去し、その後、切削した箇所に、新たにナーリングをかけることを特徴とするスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法に関する。スパッタリング中に、基板とスパッタリングターゲットとの間に配置したタンタル製コイルの表面にスパッタ粒子が堆積(リデポ)するが、スパッタリング終了後に、この使用済みのコイルに堆積したスパッタ粒子を切削により除去して、タンタル製コイルを効率良く再生するものであり、これによって新コイル作製の無駄を排除し、生産性を向上させ、同コイルを安定して提供できる技術を提供することを課題とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)