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Pub. No.:    WO/2013/046931    International Application No.:    PCT/JP2012/070003
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 06.08.2012
H01L 31/10 (2006.01), G01T 1/24 (2006.01), H01L 27/144 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/09 (2006.01)
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMAMURA Kazuhisa [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YAMAMURA Kazuhisa; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2011-212907 28.09.2011 JP
(JA) 放射線検出器
Abstract: front page image
(EN)A radiation detector (RD1) is equipped with a semiconductor substrate (1) of a first conductivity type, multiple semiconductor regions (10) of a second conductivity type, which form a bond with the semiconductor substrate (1), and multiple electrodes (21, 23) bonded to the corresponding semiconductor regions (10). When viewed from a direction perpendicular to a first main surface (1a), the electrodes (21, 23) cover the corresponding semiconductor regions (10). The semiconductor regions (10) include multiple first and second semiconductor regions (11, 13), which are arrayed two-dimensionally. Of the multiple first semiconductor regions (11), adjacent first semiconductor regions (11) which are arrayed in a first direction in the two-dimensional array are electrically connected to each other, and of the multiple second semiconductor regions (13), adjacent second semiconductor regions (13) which are arrayed in a second direction intersecting the first direction are electrically connected to each other.
(FR)La présente invention porte sur un détecteur de rayonnement (RD1) qui est équipé d'un substrat semi-conducteur (1) d'un premier type de conductivité, de multiples régions de semi-conducteur (10) d'un second type de conductivité, qui forment une liaison avec le substrat semi-conducteur (1), et de multiples électrodes (21, 23) reliées aux régions de semi-conducteur correspondantes (10). Lorsqu'elles sont observées depuis une direction perpendiculaire à une première surface principale (1a), les électrodes (21, 23) recouvrent les régions de semi-conducteur correspondantes (10). Les régions de semi-conducteur (10) comprennent de multiples premières et secondes régions de semi-conducteur (11, 13) qui sont agencées en réseau de manière bidimensionnelle. Des multiples premières régions de semi-conducteur (11), des premières régions de semi-conducteur adjacentes (11) qui sont agencées en réseau dans une première direction dans le réseau bidimensionnel sont électriquement reliées les unes aux autres, et des multiples secondes régions de semi-conducteur (13), des secondes régions de semi-conducteur adjacentes (13) qui sont agencées en réseau dans une seconde direction coupant la première direction sont électriquement reliées les unes aux autres.
(JA) 放射線検出器RD1は、第一導電型の半導体基板1と、半導体基板1と接合を構成する複数の第二導電型の半導体領域10と、対応する半導体領域10に接合された複数の電極21,23とを備える。電極21,23は、第一主面1aに直交する方向から見て、対応する半導体領域10を覆う。半導体領域10は、2次元配列された複数の第一及び第二半導体領域11,13を含む。複数の第一半導体領域11のうち2次元配列における第一方向に配列された第一半導体領域11同士が互いに電気的に接続され、複数の第二半導体領域13のうち第一方向に交差する第二方向に配列された第二半導体領域13同士が互いに電気的に接続される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)