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1. (WO2013046863) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/046863    International Application No.:    PCT/JP2012/067801
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 12.07.2012
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/36 (2010.01)
Applicants: Renesas Electronics Corporation [JP/JP]; 1753, Shimonumabe, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118668 (JP) (For All Designated States Except US).
ASANO, Kazunori [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ASANO, Kazunori; (JP)
Agent: TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, 3F Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Priority Data:
2011-213512 28.09.2011 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a technology for improving semiconductor device performance by providing an ohmic electrode wherein contact resistance is reduced and deterioration of surface morphology (surface roughness) is suppressed at the same time, said ohmic electrode being in ohmic contact with a nitride semiconductor layer. In the case where a thickness of a first molybdenum (Mo) film (MF1) inserted into between an AlGaN layer (AGNL) and an aluminum (Al) film (ALF) is X nm, the relationship of 2 nm≤X≤10 nm is satisfied. The ohmic electrode wherein surface morphology is improved and contact resistance is reduced at the same time can be formed on the AlGaN layer (AGNL) by, for instance, heat treating at a high temperature of 650-850°C a laminated body (LAB) thus configured.
(FR)L'invention concerne une technologie destinée à améliorer les performances d'un dispositif semiconducteur en fournissant une électrode ohmique permettant que la résistance de contact soit réduite et que la détérioration de la morphologie superficielle (rugosité de la surface) soit également supprimée, ladite électrode ohmique se trouvant en contact ohmique avec une couche de nitrure semiconducteur. Si une épaisseur d'un premier film de molybdène (Mo) (MF1) inséré entre une couche d'AlGaN (AGNL) et un film d'aluminium (Al) (ALF) est de X nm, la relation 2 nm ≤ X ≤ 10 nm est satisfaite. L'électrode ohmique permettant d'améliorer la morphologie superficielle et de réduire en même temps la résistance de contact peut être formée sur la couche d'AlGaN (AGNL) par exemple par un traitement thermique, à une température de 650 à 850°C, d'un corps stratifié (LAB) ainsi configuré.
(JA) 窒化物半導体層とオーミック接触するオーミック電極において、コンタクト抵抗(接触抵抗)の低減と、表面モホロジー(表面粗さ)の悪化の抑制とを両立できるオーミック電極を提供することによって、半導体装置の性能向上を図ることができる技術を提供する。AlGaN層AGNLとアルミニウム(Al)膜ALFの間に挿入されている第1モリブデン(Mo)膜MF1の膜厚をXnmとした場合、2nm≦X≦10nmの関係が満たされている。このように構成された積層体LABを、例えば、650℃~850℃の高温で熱処理することにより、表面モホロジーの改善とコンタクト抵抗の低減とを両立したオーミック電極をAlGaN層AGNL上に形成することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)