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1. (WO2013046680) CIRCUIT DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/046680    International Application No.:    PCT/JP2012/006170
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 27.09.2012
IPC:
H01L 21/52 (2006.01), B23K 1/00 (2006.01), B23K 1/19 (2006.01), B23K 1/20 (2006.01), B23K 20/00 (2006.01), H01L 23/36 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H05K 1/02 (2006.01), H05K 1/03 (2006.01), H05K 3/32 (2006.01)
Applicants: SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP)
Inventors: SAITOU, Kouichi; (JP).
NAKASATO, Mayumi; (JP).
OKAYAMA, Yoshio; (JP)
Agent: MORISHITA, Sakaki; 2-11-12, Ebisu-Nishi, Shibuya-ku, Tokyo 1500021 (JP)
Priority Data:
2011-217074 30.09.2011 JP
Title (EN) CIRCUIT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CIRCUIT
(JA) 回路装置
Abstract: front page image
(EN)A circuit device (50) of one embodiment of the present invention comprises a ceramic substrate (52), a first electroconductive pattern (53) provided on one surface of the ceramic substrate (52), a second electroconductive pattern (54) having Cu as the main component provided on the other surface of the ceramic substrate (52), and a semiconductor element (55) provided on an island (56) constituting the second electroconductive pattern (54). An electrode having an outermost layer having Cu as the main component is provided to the semiconductor element (55), and the interface between the island (56) and the electrode is directly adhered by solid-phase bonding.
(FR)La présente invention concerne, selon un mode de réalisation, un dispositif de circuit (5) qui comprend un substrat en céramique (52), un premier motif électroconducteur (53) disposé sur une surface du substrat en céramique (52), un second motif électroconducteur (54) ayant Cu en tant que composant principal, disposé sur l'autre surface du substrat en céramique (52), et un élément semi-conducteur (55) disposé sur un îlot (56) constituant le second motif électroconducteur (54). Une électrode ayant la couche la plus à l'extérieur ayant Cu comme composant principal est disposée sur l'élément semi-conducteur (55), et l'interface entre l'îlot (56) et l'électrode est directement adhérée par liaison par diffusion.
(JA) 本発明のある態様の回路装置50は、セラミック基板52と、セラミック基板52の一方の面に設けられた第1の導電パターン53と、セラミック基板52の他方の面に設けられたCuを主成分とする第2の導電パターン54と、第2の導電パターン54を構成するアイランド56の上に設けられた半導体素子55と、を備える。半導体素子55には、Cuを主成分とする最表面を有する電極が設けられ、アイランド56と電極の界面は、固相接合により直接固着されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)