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1. (WO2013046643) METHOD FOR WRITING DATA IN NONVOLATILE STORAGE ELEMENT, AND NONVOLATILE STORAGE DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/046643    International Application No.:    PCT/JP2012/006093
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 25.09.2012
Chapter 2 Demand Filed:    30.11.2012    
IPC:
G11C 13/00 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
Inventors: TAKAGI, Takeshi; .
WEI, Zhiqiang;
Agent: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2011-212088 28.09.2011 JP
Title (EN) METHOD FOR WRITING DATA IN NONVOLATILE STORAGE ELEMENT, AND NONVOLATILE STORAGE DEVICE
(FR) PROCÉDÉ D'ÉCRITURE DE DONNÉES DANS UN ÉLÉMENT DE STOCKAGE NON VOLATIL ET DISPOSITIF DE STOCKAGE NON VOLATIL
(JA) 不揮発性記憶素子のデータ書き込み方法及び不揮発性記憶装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a method for writing data in a nonvolatile storage element, wherein it is possible to inhibit the effects from fluctuations in resistance. The method involves: a first application step (S120) in which a first voltage pulse for changing the resistance state of a nonvolatile storage element (100) from a first state to a second state is applied; a second application step (S121) in which a second voltage pulse having the same polarity as the first voltage pulse and a smaller absolute voltage value than the first voltage pulse is applied; a determination step (S122) in which it is determined whether or not the resistance state of the nonvolatile storage element (100) is the second state; and a third application step (S123) in which a third voltage pulse for changing the resistance state of the nonvolatile storage element from the first state to the second state is applied when it is determined that the resistance state of the nonvolatile storage element (100) is not the second state.
(FR)La présente invention porte sur un procédé d'écriture de données dans un élément de stockage non volatil, dans lequel il est possible d'empêcher l'influence de la fluctuation de valeur de résistance. Le procédé comprend : une première étape d'application (S120) dans laquelle est appliquée une première impulsion de tension pour changer l'état de résistance d'un élément de stockage non volatil (100) d'un premier état à un second état ; une deuxième étape d'application (S121) dans laquelle est appliquée une deuxième impulsion de tension ayant la même polarité que la première impulsion de tension et une valeur de tension absolue plus petite que la première impulsion de tension ; une étape de détermination (S122) dans laquelle il est déterminé si ou non l'état de résistance de l'élément de stockage non volatil (100) est dans le second état ; et une troisième étape d'application (S123) dans laquelle une troisième impulsion de tension pour changer l'état de résistance de l'élément de stockage non volatil d'un premier état à un second état est appliquée lorsqu'il a été déterminé que l'état de résistance de l'élément de stockage non volatil (100) n'est pas dans le second état.
(JA)抵抗値の揺らぎ現象の影響を抑制することができる不揮発性記憶素子のデータ書き込み方法を提供する。不揮発性記憶素子(100)の抵抗状態を第1の状態から第2の状態へ変化させるための第1の電圧パルスを印加する第1の印加ステップ(S120)と、第1の電圧パルスと同じ極性で、かつ第1の電圧パルスよりも電圧値の絶対値が小さい第2の電圧パルスを印加する第2の印加ステップ(S121)と、不揮発性記憶素子(100)の抵抗状態が第2の状態であるか否かを判定する判定ステップ(S122)と、不揮発性記憶素子(100)の抵抗状態が第2の状態でないと判定された場合、不揮発性記憶素子(100)の抵抗状態を第1の状態から第2の状態へ変化させる第3の電圧パルスを印加する第3の印加ステップ(S123)とを含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)