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1. (WO2013046603) NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT, NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/046603    International Application No.:    PCT/JP2012/005968
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 20.09.2012
Chapter 2 Demand Filed:    08.02.2013    
IPC:
H01L 27/105 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
Inventors: MIKAWA, Takumi; .
MURASE, Hideaki;
Agent: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2011-211434 27.09.2011 JP
Title (EN) NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT, NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE, DISPOSITIF À MÉMOIRE NON VOLATILE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置及びそれらの製造方法
Abstract: front page image
(EN)A non-volatile memory element (10) is provided with: a lower electrode (105) formed on a substrate (100); a first variable resistance layer (106a) formed on the lower electrode (105), the first variable resistance layer comprising a first metal oxide; a second variable resistance layer (106b) formed on the first variable resistance layer (106a), the second variable resistance layer comprising a second metal oxide in which the degree of oxygen deficiency is lower than that of the first metal oxide; and an upper electrode (107) formed on the second variable resistance layer (106b). A single step (106az) is present on the interface between the first variable resistance layer (106a) and the second variable resistance layer (106b). The second variable resistance layer (106b) is formed so as to cover the step (106az) and has a bent portion (106bz) covering the step (106az) above the step (106az). The bent portion (106bz) has only one corner on the surface of the second variable resistance layer (106b) when viewed from above.
(FR)La présente invention concerne un élément de mémoire non volatile (10) pourvu : d'une électrode inférieure (105) formée sur un substrat (100); d'une première couche de résistance variable (106a) formée sur l'électrode inférieure (105), la première couche de résistance variable comprenant un premier oxyde métallique; d'une seconde couche de résistance variable (106b) formée sur la première couche de résistance variable (106a), la seconde couche de résistance variable comprenant un second oxyde métallique dans lequel le degré de déficit d'oxygène est inférieur à celui du premier oxyde métallique; et d'une électrode supérieure (107) formée sur la seconde couche de résistance variable (106b). Un seul palier (106az) est présent sur l'interface entre la première couche de résistance variable (106a) et la seconde couche de résistance variable (106b). La seconde couche de résistance variable (106b) est formée de manière à recouvrir le palier (106az) et présente une partie fléchie (106bz) recouvrant le palier (106az) au-dessus du palier (106az). La partie fléchie (106bz) présente un seul coin sur la surface de la seconde couche de résistance variable (106b), lorsqu'elle est observée du dessus.
(JA) 不揮発性記憶素子(10)は、基板(100)上に形成された下部電極(105)と、下部電極(105)上に形成され、第1の金属酸化物で構成される第1の抵抗変化層(106a)と、第1の抵抗変化層(106a)上に形成され、酸素不足度が第1の金属酸化物の酸素不足度より低い第2の金属酸化物で構成される第2の抵抗変化層(106b)と、第2の抵抗変化層(106b)上に形成された上部電極(107)とを備え、第1の抵抗変化層(106a)と第2の抵抗変化層(106b)との界面には一段の段差(106az)があり、第2の抵抗変化層(106b)は、段差(106az)を被覆して形成され、かつ段差(106az)の上方に段差(106az)を被覆する屈曲部(106bz)を有し、上方から見た屈曲部(106bz)の角部は、第2の抵抗変化層(106b)の表面においてただ1つである。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)