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Pub. No.:    WO/2013/046286    International Application No.:    PCT/JP2011/071796
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 26.09.2011
C23C 16/503 (2006.01), C23C 16/448 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Applicants: SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 1, Nishinokyo-kuwabaracho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048511 (JP) (For All Designated States Except US).
SUZUKI, Masayasu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SUZUKI, Masayasu; (JP)
Agent: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
(JA) プラズマ成膜装置
Abstract: front page image
(EN)This plasma film forming apparatus is provided with: a chamber to which a substrate holder having a mounting surface is carried, said mounting surface having a substrate mounted thereon; a cathode electrode disposed to face the mounting surface that is disposed to extend in the vertical direction in the chamber; a gas supply apparatus that introduces a process gas to between the substrate holder and the cathode electrode in the chamber; and an alternating current power supply, which supplies alternating current power to between the substrate holder and the cathode electrode, and brings the process gas into the plasma state between the substrate holder and the cathode electrode. A thin film is formed on the substrate, said thin film having, as a main component, a raw material contained in the process gas.
(FR)L'invention porte sur un appareil de formation de couche par plasma, doté de : une chambre vers laquelle un porte-substrat ayant une surface de montage est transporté, ladite surface de montage ayant un substrat monté sur celle-ci ; une électrode cathodique disposée pour être en regard de la surface de montage qui est disposée pour s'étendre dans la direction verticale dans la chambre ; un appareil d'introduction de gaz qui introduit un gaz de traitement entre le porte-substrat et l'électrode cathodique dans la chambre ; et une alimentation électrique en courant alternatif, qui fournit un courant alternatif entre le porte-substrat et l'électrode cathodique et qui amène le gaz de traitement à l'état de plasma entre le porte-substrat et l'électrode cathodique. Une couche mince est formée sur le substrat, ladite couche mince ayant, comme composant principal, une matière première contenue dans le gaz de traitement.
(JA) 基板が搭載される搭載面を有する基板ホルダーが搬入されるチャンバーと、チャンバー内で上下方向に延伸して配置される搭載面と対向するように配置されたカソード電極と、チャンバー内の基板ホルダーとカソード電極間にプロセスガスを導入するガス供給装置と、基板ホルダーとカソード電極間に交流電力を供給して、基板ホルダーとカソード電極間においてプロセスガスをプラズマ状態にする交流電源とを備え、プロセスガスに含まれる原料を主成分とする薄膜を基板上に形成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)