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1. (WO2013046077) SELECTIVE PLACEMENT OF CARBON NANOTUBES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/046077    International Application No.:    PCT/IB2012/054449
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 30.08.2012
IPC:
C01B 31/02 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US) (For All Designated States Except US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District Beijing 100101 (CN) (MG only).
AFZALI-ARDAKANI, Ali [US/US]; (US) (For US Only).
TULEVSKI, George Stojan [US/US]; (US) (For US Only).
PARK, Hongsik [KR/US]; (US) (For US Only)
Inventors: AFZALI-ARDAKANI, Ali; (US).
TULEVSKI, George Stojan; (US).
PARK, Hongsik; (US)
Agent: WILLIAMS, Julian; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Priority Data:
13/248,176 29.09.2011 US
Title (EN) SELECTIVE PLACEMENT OF CARBON NANOTUBES
(FR) POSITIONNEMENT SÉLECTIF DE NANOTUBES DE CARBONE
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a structure having selectively placed carbon nanotubes, a method of making charged carbon nanotubes, a bi- functional precursor, and a structure having a high density carbon nanotube layer with minimal bundling. Carbon nanotubes are selectively placed on a substrate having two regions. The first region has an isoelectric point exceeding the second region's isoelectric point. The substrate is immersed in a solution of a bi- functional precursor having anchoring and charged ends. The anchoring end bonds to the first region to form a self-assembled monolayer having a charged end. The substrate with charged monolayer is immersed in a solution of carbon nanotubes having an opposite charge to form a carbon nanotube layer on the self-assembled monolayer. The charged carbon nanotubes are made by functionalization or coating with an ionic surfactant.
(FR)Procédé de formation d'une structure possédant des nanotubes de carbone à positionnement sélectif, procédé de fabrication de nanotubes de carbone chargés, précurseur bi-fonctionnel et structure possédant un couche à haute densité de nanotubes de carbone pour un minimum de faisceaux. Des nanotubes de carbone sont positionnés sélectivement sur un substrat possédant deux régions. La première région a un point isoélectrique dépassant le point isoélectrique de la seconde région. Le substrat est immergé dans une solution de précurseur bi-fonctionnel ayant des extrémités d'ancrage et chargées. L'extrémité d'ancrage adhère à une première région et forme ainsi une monocouche auto-assemblée à extrémité chargée. Le substrat avec monocouche chargée est immergé dans une solution de nanotubes de carbone ayant une charge opposée pour former une couche de nanotubes de carbone sur la monocouche auto-assemblée. Les nanotubes de carbone chargés sont obtenus par fonctionnalisation ou par application d'un revêtement de tensioactif ionique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)