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1. (WO2013045433) METHOD FOR DETERMINING THE THICKNESSES OF LAYERS OF A LAYER SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/045433    International Application No.:    PCT/EP2012/068848
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 25.09.2012
IPC:
G01B 11/06 (2006.01), G05B 13/04 (2006.01)
Applicants: CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH [DE/DE]; Carl-Zeiss-Promenade 10 07745 Jena (DE) (For All Designated States Except US).
DAU, Sebastian [DE/DE]; (DE) (US only).
PASCHOLD, Johannes [DE/DE]; (DE) (US only).
DUERSELEN, Christian [DE/DE]; (DE) (US only)
Inventors: DAU, Sebastian; (DE).
PASCHOLD, Johannes; (DE).
DUERSELEN, Christian; (DE)
Agent: KÄCKELL, Peter; Geyer, Fehners & Partner (G.b.R.) Sellierstrasse 1 07745 Jena (DE)
Priority Data:
102011083844.9 30.09.2011 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DER DICKEN VON SCHICHTEN EINES SCHICHTSYSTEMS
(EN) METHOD FOR DETERMINING THE THICKNESSES OF LAYERS OF A LAYER SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION DE L'ÉPAISSEUR DES COUCHES D'UN SYSTÈME STRATIFIÉ
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung der Dicken von Schichten eines Schichtsystems, bei dem zunächst Rezepturparameter zum Auftragen einer Schicht auf ein Substrat festgelegt werden, wobei die Parameter das Material und den sich daraus ergebenden komplexen Brechungsindex als Funktion der Wellenlänge und die Dicke der zu erzeugenden Schicht umfassen. Entsprechend den Rezepturparametern wird die Schicht dann auf das Substrat aufgetragen. Außerdem werden Messparameter zur Bestimmung der wellenlängenabhängigen Absorption AS(λ) und/oder Reflexion RS(λ) festgelegt, wobei die Messparameter den Einfallswinkel, unter dem die Schicht mit Licht zur Messung bestrahlt wird umfassen. Absorption AS(λ) und/oder die Reflexion RS(λ) werden dann gemessen, die sich aus der Messung ergebenden Messwerte werden als Messspektrum gespeichert. Bei einem solchen Verfahren werden die Rezeptur- und Messparameter an eine Modellierfunktion übergeben, die anhand der übergebenen Parameter ein aus einer Modellabsorption ΑΜ(λ) und / oder einer Modellreflexion RM(λ) gebildetes Modellspektrum bestimmt, wobei durch Variation der Rezepturparameter in der Modellierfunktion das Modellspektrum iterativ so lange angepasst wird, bis Abweichungen von Modell- und Messspektrum der Schicht unterhalb eines vorgegebenen Schwellwerts liegen. Zur Bewertung der Abweichungen wird für jede Wellenlänge die quadratische Abweichung zwischen gemessenem Wert und berechnetem Wert des jeweiligen Spektrums bestimmt, die quadratischen Abweichungen aufsummiert, und die Summe wird mit dem Schwellwert verglichen. Die Iteration wird dann beendet, wenn die Summe der quadratischen Abweichungen unterhalb des Schwellwertes liegt. Die Bestimmung der Modellabsorption ΑΜ(λ), der Modellreflexion RM(λ) und/oder der quadratischen Abweichungen erfolgt für mindestens einen Teil der Wellenlängen eines Modellspektrums dabei zeitlich überlappend.
(EN)The invention relates to a method for determining the thicknesses of layers of a layer system. First, formulation parameters for applying a layer onto a substrate are ascertained, said parameters comprising the material and the complex refractive index resulting therefrom as a function of the wavelength and the thickness of the layer to be produced. The layer is then applied onto the substrate in a corresponding manner with respect to the formulation parameters. Furthermore, measuring parameters are ascertained for determining the wavelength-dependent absorption AS(λ) and/or reflection RS(λ), said measuring parameters comprising the angle of incidence at which the layer is irradiated with light for measuring purposes. The absorption AS(λ) and/or the reflection RS(λ) are then measured, and the measured values resulting from the measurement are stored as a measured spectrum. In such a method, the formulation and measuring parameters are passed to a modeling function that determines a modeled spectrum consisting of a modeled absorption AM(λ) and/or a modeled reflection RM(λ) using the passed parameters. The modeled spectrum is adapted by iteratively varying the formulation parameters in the modeling function until deviations between the modeled and measured spectrum of the layer lie below a specified threshold. In order to evaluate the deviations, the quadratic deviation between the measured value and the calculated value of each spectrum is determined for each wavelength, the quadratic deviations are added, and the sum is compared with the threshold. The iteration is stopped when the sum of the quadratic deviations lies below the threshold. The modeled absorption AM(λ), the modeled reflection RM(λ), and/or the quadratic deviations are determined in a temporally overlapping manner for at least some of the wavelengths of a modeled spectrum.
(FR)L'invention concerne un procédé de détermination de l'épaisseur des couches d'un système stratifié. En premier lieu, on définit des paramètres de production pour le dépôt d'une couche sur un substrat, lesdits paramètres comprenant le matériau et l'indice de réfraction complexe généré par lui en fonction de la longueur d'onde et de l'épaisseur de la couche à réaliser. On dépose ensuite la couche sur le substrat conformément à ces paramètres de production. En outre, on définit des paramètres de mesure pour déterminer l'absorption AS(λ) et/ou la réflexion RS(λ) en fonction de la longueur d'onde, lesdits paramètres de mesure comprenant l'angle d'incidence selon lequel la couche est éclairée pour la mesure. On mesure alors l'absorption AS(λ) et/ou la réflexion RS(λ) et on sauvegarde les valeurs fournies par cette mesure sous la forme d'un spectre de mesure. Selon ledit procédé, on transmet les paramètres de production et de mesure à une fonction de modélisation qui, au moyen des paramètres transmis, détermine un spectre modèle formé par une absorption modèle ΑΜ(λ) et/ou une réflexion modèle RM(λ). On adapte ce spectre modèle par itération, en faisant varier les paramètres de production dans la fonction de modélisation, jusqu'à ce que les écarts du spectre de mesure par rapport au spectre modèle de la couche se situent au-dessous d'une valeur seuil prédéfinie. Pour évaluer les écarts, on détermine pour chaque longueur d'onde l'écart quadratique entre la valeur mesurée et la valeur calculée du spectre considéré, on additionne les écarts quadratiques et on compare cette somme à la valeur seuil. On stoppe l'itération lorsque la somme des écarts quadratiques est inférieure à la valeur seuil. Cette détermination de l'absorption modèle ΑΜ(λ), de la réflexion modèle RM(λ) et/ou des écarts quadratiques est effectuée sur une partie au moins des longueurs d'onde d'un spectre modèle avec un chevauchement temporel.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)