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1. (WO2013045369) COMPONENT, AND METHOD FOR PRODUCING SAID COMPONENT USING A PRESSURE-FREE SINTERING PROCESS BY APPLYING HEAT AND ULTRASOUND
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/045369    International Application No.:    PCT/EP2012/068675
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 21.09.2012
IPC:
H01L 21/60 (2006.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
STREITEL, Reinhard [DE/DE]; (DE) (US only)
Inventors: STREITEL, Reinhard; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schlossschmidstr. 5 80639 Munich (DE)
Priority Data:
10 2011 114 558.7 30.09.2011 DE
Title (DE) BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN DIESES BAUELEMENTES MITTELS DRUCKLOSEN SINTERNPROZESSES DURCH EINWIRKEN VON WÄRME UND ULTRASCHALL
(EN) COMPONENT, AND METHOD FOR PRODUCING SAID COMPONENT USING A PRESSURE-FREE SINTERING PROCESS BY APPLYING HEAT AND ULTRASOUND
(FR) COMPOSANT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CE COMPOSANT PAR UN PROCESSUS DE FRITTAGE SANS PRESSION SOUS L'EFFET DE CHALEUR ET D'ULTRASONS
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen dieses Bauelementes beschrieben, wobei das Bauelement zumindest einen Bauelemente-Chip (1), eine Interconnect-Schicht (2) und ein Trägersubstrat (3) aufweist. Der mindestens eine Bauelemente-Chip (1) ist über eine Interconnect-Schicht (2) mit dem Trägersubstrat (3) verbunden, wobei die Interconnect-Schicht (2) durch verdichtendes druckloses Sintern von auf dem Trägersubstrat (3) aufgebrachtem Sintermaterial gebildet ist. Der Sinterprozess erfolgt durch gleichzeitiges Einwirken von Wärme (11) und Ultraschall (4) auf das Sintermaterial.
(EN)A component and a method for producing said component are described, wherein the component has at least one component chip (1), an interconnect layer (2), and a carrier substrate (3). The at least one component chip (1) is connected to the carrier substrate (3) by means of an interconnect layer (2) which is formed by sintering, in a pressure-free compacting manner, sinter material that is applied to the carrier substrate (3). The sintering process is carried out by simultaneously applying heat (11) and ultrasound (4) to the sinter material.
(FR)L'invention concerne un composant et un procédé de fabrication dudit composant, lequel composant comprend au moins une puce (1), une couche d'interconnexion (2) et un substrat support (3). Ladite au moins une puce (1) est reliée au substrat support (3) par l'intermédiaire d'une couche d'interconnexion (2) qui est formée par frittage sans pression, assurant un compactage, de matériau à fritter appliqué sur le substrat support (3). Le processus de frittage est réalisé par application simultanée de chaleur (11) et d'ultrasons (4) sur le matériau à fritter.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)