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1. (WO2013045328) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, AND METHOD FOR FABRICATING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/045328    International Application No.:    PCT/EP2012/068431
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 19.09.2012
IPC:
H01L 33/40 (2010.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
GEHRKE, Kai [DE/DE]; (DE) (US only).
PERZLMAIER, Korbinian [DE/DE]; (DE) (US only).
FLÖTER, Richard [DE/DE]; (DE) (US only).
SCHMID, Christian [DE/DE]; (DE) (US only)
Inventors: GEHRKE, Kai; (DE).
PERZLMAIER, Korbinian; (DE).
FLÖTER, Richard; (DE).
SCHMID, Christian; (DE)
Agent: ZUSAMMENSCHLUSS NR. 175 EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schlossschmidstr. 5 80639 Munich (DE)
Priority Data:
10 2011 115 299.0 29.09.2011 DE
Title (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, AND METHOD FOR FABRICATING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
Abstract: front page image
(DE)In mindestens einer Ausführungsform weist der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung auf sowie einen Silberspiegel (3). Der Silberspiegel (3) ist an der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet. Dem Silber des Silberspiegels (3) ist Sauerstoff beigegeben. Ein Gewichtsanteil des Sauerstoffs an dem Silberspiegel (3) beträgt bevorzugt mindestens 10-5 und ferner bevorzugt höchstens 10 %.
(EN)In at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor chip (1) has a semiconductor layer sequence (2) for producing electromagnetic radiation and also a silver mirror (3). The silver mirror (3) is arranged on the semiconductor layer sequence (2). The silver of the silver mirror (3) has oxygen added to it. A weight proportion of the oxygen in the silver mirror (3) is preferably at least 10-5 and with further preference no more than 10%.
(FR)Dans au moins un mode de réalisation, la puce semi-conductrice optoélectronique (1) présente une structure multicouche semi-conductrice (2) pour produire un rayonnement électromagnétique ainsi qu'un miroir en argent (3). Le miroir en argent (3) est disposé sur la structure multicouche semi-conductrice (2). De l'oxygène est ajouté à l'argent du miroir en argent (3). Un pourcentage en poids de l'oxygène sur le miroir en argent (3) est de préférence au moins de 10-5 et mieux encore d'au plus 10 %.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)