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1. (WO2013045181) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/045181    International Application No.:    PCT/EP2012/066459
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 23.08.2012
IPC:
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01), H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
HERTKORN, Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ENGL, Karl [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HAHN, Berthold [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEIMAR, Andreas [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HERTKORN, Joachim; (DE).
ENGL, Karl; (DE).
HAHN, Berthold; (DE).
WEIMAR, Andreas; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schlossschmidstr. 5 80639 Munich (DE)
Priority Data:
10 2011 114 671.0 30.09.2011 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UNE PUCE SEMICONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE, ET PUCE SEMICONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE CORRESPONDANTE
Abstract: front page image
(DE)In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens ist dieses zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (10), insbesondere einer Leuchtdiode, eingerichtet. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), Erzeugen einer III-Nitrid-Nukleationsschicht (3) auf dem Aufwachssubstrat (1) mittels Sputtern, und Aufwachsen einer III-Nitrid-Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (2a) auf die oder über der Nukleationsschicht (3), wobei ein Material des Aufwachssubstrats (1) von einem Material der Nukleationsschicht (3) und/oder der Halbleiterschichtenfolge (2) verschieden ist.
(EN)In at least one embodiment of the method, said method is configured to produce an optoelectronic semiconductor chip (10), in particular a light-emitting diode. The method comprises the following steps: providing a growth substrate (1), producing a III-nitrite-nucleation layer (3) on the growth substrate (1) by means of sputters, and growing a III-nitrite-semiconductor layer sequence (2) comprising an active layer (2a) to or over the nucleation layer (3), wherein a material of the growth substrate (1) is different from a material of the nucleation layer (3) and/or the semiconductor layer sequence (2).
(FR)Dans au moins un mode de réalisation de cette invention, le procédé est conçu pour produire une puce semiconductrice optoélectronique (10), en particulier une diode électroluminescente. Ce procédé comprend les étapes suivantes : préparer un substrat de croissance (1), générer une couche de germination de nitrure III (3) sur le substrat de croissance (1) par pulvérisation cathodique et, faire croître une succession de couches semiconductrices à base de nitrure III (2) comprenant une couche active (2a) sur ou au-dessus de la couche tampon (3). Une matière du substrat de croissance (1) est recouverte d'une matière de la couche de germination (3) et/ou de la succession de couches semiconductrices (2).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)