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1. (WO2013044760) TFT ARRAY SUBSTRATE, PREPARATION METHOD THEREOF AND DISPLAY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/044760    International Application No.:    PCT/CN2012/081771
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 21.09.2012
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 27/02 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G02F 1/1362 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01)
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventors: LIU, Xiang; (CN).
XUE, Jianshe; (CN)
Agent: LIU, SHEN & ASSOCIATES; A0601, Huibin Building No.8 Beichen Dong Street Chaoyang District Beijing 100101 (CN)
Priority Data:
201110294950.6 29.09.2011 CN
Title (EN) TFT ARRAY SUBSTRATE, PREPARATION METHOD THEREOF AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE TFT, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) TFT阵列基板及其制造方法和显示装置
Abstract: front page image
(EN)Provided are a TFT array substrate, a preparation method thereof and a display device. The TFT array substrate includes: a substrate (11); a gate line, a gate (12), a gate insulation layer (13) and a semiconductor active layer (14) formed on the substrate (11); a metal barrier layer (15) formed on the semiconductor active layer (14); an active electrode (161) and a drain (162) formed on the metal barrier layer (15), wherein the portion of the metal barrier layer (15) located between the source (161) and the drain (162) is oxidized as a metal oxide portion (151); the metal oxide portion (151) enables the source (161) and the drain (162) to insulate from each other; and the substrate (11), the source (161) and the drain (162) are formed thereon with a protection layer (18) and a pixel electrode (19) connected to the drain (162).
(FR)Cette invention concerne un substrat de matrice TFT, son procédé de préparation et un dispositif d'affichage. Ledit substrat de matrice TFT comprend : un substrat (11) ; une ligne de grille, une grille (12), une couche d'isolation de grille (13) et une couche active de semi-conducteur (14) formées sur le substrat (11) ; une couche barrière métallique (15) formée sur la couche active de semi-conducteur (14) ; et une électrode active (161) et un drain (162) formés sur la couche barrière métallique (15), la partie de la couche barrière métallique (15) située entre la source (161) et le drain (162) étant oxydée de façon à former une partie à oxyde métallique (151). Ladite partie à oxyde métallique (151) permet d'isoler l'un de l'autre la source (161) et le drain (162). Le substrat (11), la source (161) et le drain (162) sont formés avec une couche de protection (18) et une électrode de pixel (19) reliée au drain (162).
(ZH)提供一种TFT阵列基板及其制造方法和显示装置。TFT阵列基板包括:基板(11),基板(11)上形成的栅线、栅极(12)、栅绝缘层(13)和半导体有源层(14),半导体有源层(14)上形成金属阻挡层(15),金属阻挡层(15)上形成有源极(161)和漏极(162);金属阻挡层(15)的位于源极(161)、漏极(162)之间的部分被氧化为金属氧化物部分(151);金属氧化物部分(151)使该源极(161)、漏极(162)相互绝缘;基板(11)和源极(161)、漏极(162)上形成有保护层(18)和与漏极(162)连接的像素电极(19)。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)