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1. (WO2013044692) ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTIVE DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/044692    International Application No.:    PCT/CN2012/079892
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 09.08.2012
IPC:
H01L 27/04 (2006.01)
Applicants: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD. [CN/CN]; No.5, Hanjiang Road, Wuxi New District Wuxi, Jiangsu 214028 (CN) (For All Designated States Except US).
DAI, Meng [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: DAI, Meng; (CN)
Agent: ADVANCE CHINA I.P. LAW OFFICE; Suite 918-920, Dongshan Plaza No.69 Xianlie Central Road Guangzhou, Guangdong 510095 (CN)
Priority Data:
201110299454.X 29.09.2011 CN
201110303015.1 29.09.2011 CN
Title (EN) ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTIVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF PROTECTEUR CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
(ZH) 静电放电保护装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is an electrostatic discharge (ESD) protective device. A proper trigger voltage is determined by introducing an ESD doped injection layer into a PNPN structure and adjusting the injection energy and dosage of the ESD doped injection layer; a proper maintaining voltage is obtained by adjusting the size of the ESD doped injection layer, thus preventing the latch-up effect. Based on the self-isolation effect formed under an epitaxial wafer high voltage process or a silicon-on-insulator (SOI) wafer high voltage process, the ESD protective device of the present invention can prevent the device from being falsely triggered due to noise interference. Compared to other known ESD protective devices, the present invention not only has the same ESD protective ability, but also has the characteristics of small footprint and low cost.
(FR)L'invention concerne un dispositif protecteur contre les décharges électrostatiques (DES). Une tension de déclenchement appropriée est déterminée en introduisant une couche d'injection dopée à DES dans une structure PNPN et en ajustant l'énergie d'injection et le dosage de la couche d'injection dopée à DES ; une tension de maintien appropriée est obtenue en ajustant la taille de la couche d'injection dopée à DES, évitant ainsi l'effet de verrouillage. Sur la base de l'effet d'auto-isolation formé sous un procédé de fabrication à haute tension de plaquette épitaxique ou un procédé de fabrication à haute tension de plaquette de silicium sur isolant (SOI), le dispositif protecteur contre les DES selon la présente invention peut éviter que le dispositif soit déclenché par erreur en raison d'interférence de bruit. Comparée aux autres dispositifs protecteurs contre les DES connus, la présente invention a non seulement les mêmes capacités protectrices contre les DES, mais est aussi peu encombrante et de faible coût.
(ZH)本发明提供了一种静电放电保护装置,通过在PNPN结构中引入静电放电(ESD)掺杂注入层,并且通过调整ESD掺杂注入层的注入能量及剂量以决定合适的触发电压,通过调整ESD掺杂注入层的尺寸以得到合适的维持电压,防止造成闩锁效应问题。本发明提供的静电放电保护装置基于外延圆片高压工艺或者绝缘衬底上的硅(SOI)圆片高压工艺下形成的自隔离效果,可以防止器件受噪声影响被误触发。与已知的其他静电保护器件相比,相同的静电防护能力下,本发明提供的静电放电保护装置还具有面积小,成本低的特点。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)