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1. (WO2013044427) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2013/044427    International Application No.:    PCT/CN2011/001964
Publication Date: 04.04.2013 International Filing Date: 25.11.2011
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/3105 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN) (For All Designated States Except US).
YIN, Huaxiang [CN/CN]; (CN) (For US Only).
XU, Qiuxia [CN/CN]; (CN) (For US Only).
CHEN, Dapeng [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: YIN, Huaxiang; (CN).
XU, Qiuxia; (CN).
CHEN, Dapeng; (CN)
Agent: CHINA PATENT AGENT ( H. K. ) LTD.; 22F Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong (CN)
Priority Data:
201110300828.5 29.09.2011 CN
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(ZH) 半导体器件及其制造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are a semiconductor device and a method for fabricating the same. Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is adopted to coat a layer of silicon nitride film (40) having a high ultraviolet absorption coefficient on an N-type metal oxide semiconductor (NMOS) device (20), and through surface annealing processing with excited laser, the silicon nitride film (40) is capable of absorbing ultraviolet very well, so as to obtain a good dehydrogenation effect, and after the dehydrogenation, the silicon nitride film (40) has a very high tensile stress; as the silicon nitride film (40) has a high ultraviolet absorption coefficient, a substrate (10) does not need to be heated, thereby avoiding the adverse influence on the device as the substrate (10) needs to be heated for dehydrogenation, and saving the heat budget caused by the PECVD process.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur et un procédé de fabrication de celui-ci. Le procédé de dépôt en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD) est adopté pour appliquer une couche constituée d'un film de nitrure de silicium (40) ayant un coefficient élevé d'absorption des ultraviolets sur un dispositif à semi-conducteur (20) métal-oxyde de type N (NMOS). Après un traitement de recuit superficiel à l'aide d'un laser excité, le film de nitrure de silicium (40) est apte à une très bonne absorption des ultraviolets, et ainsi d'obtenir un bon effet de déshydrogénation. Après la déshydrogénation, le film de nitrure de silicium (40) offre une résistance élevée à la traction. Comme le film de nitrure de silicium (40) offre un coefficient élevé d'absorption des ultraviolets, un substrat (10) ne doit pas nécessairement être chauffé, ce qui évite l'effet néfaste exercé sur le dispositif, le substrat (10) devant être chauffé pour la déshydrogénation, et ce qui permet de faire des économies sur le budget thermique du procédé PECVD.
(ZH)提供一种半导体器件及其制造方法,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在N型金属氧化物半导体(NMOS)器件(20)上覆盖一层具有高紫外光吸收系数的氮化硅膜(40),该氮化硅膜(40)在受激激光表面退火处理时,能很好地吸收紫外光,从而获得良好的去氢效果,并在去氢后,氮化硅膜(40)具有很高的张应力;由于氮化硅膜(40)的紫外光吸收系数高,因此不需要对衬底(10)进行加热,避免了由于需要加热衬底(10)去氢而给器件带来的不良影响,保存了PECVD工艺带来的热预算。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)