(EN) Disclosed is a bonding wire (W), which has high bondability to an Ni/Pd/Au coated electrode (a) having high reliability at high temperatures, causes less damage to brittle chips, and has low cost. Specifically disclosed is a silver bonding wire for connecting to each other the Ni/Pd/Au coated electrode (a) of a semiconductor element and conductor wiring (c) of a circuit wiring board by means of a ball bonding method, said silver bonding wire having a wire diameter of 10-50 μm. A coating layer (2) composed of Pt or Pd is formed on the outer circumferential surface of a core material (1), and the ratio (%) between the cross-sectional area of the coating layer and the cross-sectional area of the wire is set at 0.1-0.6 %. Since a spherical FAB (ball (b)) shown in Fig. (a, b), said FAB having no unmelted portion (hollow), can be obtained by having a coating layer thickness (t) with the cross-sectional area ratio, chip damages are not easily generated. The core material (1) contains, in total, 0.5-5.0 mass % of one or more kinds of elements selected from among Pd, Pt and Au, 5-500 mass ppm of one or more kinds of elements selected from among Ca, Cu and rare earthes, and the remainder composed of Ag and inevitable impurities.
(FR) L'invention porte sur un fil de soudage (W) qui a une aptitude au soudage élevée sur une électrode revêtue de Ni/Pd/Au (a) ayant une fiabilité élevée à hautes températures, qui cause moins de dommages à des puces cassantes, et a un coût faible. L'invention porte de façon spécifique sur un fil de soudage à l'argent pour relier l'un à l'autre l'électrode revêtue de Ni/Pd/Au (a) d'un élément semi-conducteur et un câblage conducteur (c) d'une carte de connexion de circuit au moyen d'un procédé soudage par boule, ledit fil de soudage à l'argent ayant un diamètre de fil de 10-50 µm. Une couche de revêtement (2) composée de Pt ou Pd est formée sur la surface circonférentielle extérieure d'une matière de cœur (1), et le rapport (%) entre la section transversale de la couche de revêtement et la section transversale du fil est réglé à 0,1-0,6 %. Du fait qu'une FAB sphérique (boule (b)) représentée sur la figure (a, b), ladite FAB ayant aucune partie non fondue (creuse), peut être obtenue en ayant une épaisseur de couche de revêtement (t) ayant le rapport de sections transversales, des dommages aux puces ne sont pas facilement générés. La matière de cœur (1) contient, en total, 0,5-5,0 % en masse d'un ou plusieurs genres d'éléments choisis parmi Pd, Pt et Au, 5-500 ppm en masse d'un ou plusieurs genres d'éléments choisi parmi Ca, Cu et les terres rares, et le reste composé d'Ag et d'impuretés inévitables.
(JA) 高温信頼性の高いNi/Pd/Au被覆電極(a)への接合性が高く、かつ脆弱なチップに対するダメージも少なく安価なボンディングワイヤ(W)とする。半導体素子のNi/Pd/Au被覆電極(a)と回路配線基板の導体配線(c)をボールボンディング法によって接続するための線径10~50μmの銀ボンディングワイヤである。芯材(1)外周面にPt又はPdの被覆層(2)を形成し、その被覆層の断面積とこのワイヤの断面積の比(%)を0.1~0.6%とする。この断面積比の被覆層厚(t)とすることによって、図(a)、(b)で示す溶け残り部分(窪み)の無い真球状のFAB(ボールb)を得ることができるため、チップダメージが発生し難い。芯材(1)は、Pd、Pt又はAuから選ばれる1種以上を合計で0.5~5.0質量%含み、かつCa、Cu、希土類から選ばれる1種以上の元素を合計で5~500質量ppm含んで、それ以外がAg及び不可避不純物からなる。