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1. (WO2012169452) ELASTIC WAVE DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2012/169452 International Application No.: PCT/JP2012/064353
Publication Date: 13.12.2012 International Filing Date: 04.06.2012
IPC:
H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 3/08 (2006.01)
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
H
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9
Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
02
Details
125
Driving means, e.g. electrodes, coils
145
for networks using surface acoustic waves
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
H
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3
Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007
for the manufacture of electromechanical resonators or networks
08
for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
Applicants:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP (AllExceptUS)
西條 慎 SAIJOU, Shin [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventors:
西條 慎 SAIJOU, Shin; JP
Agent:
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
Priority Data:
2011-12941509.06.2011JP
Title (EN) ELASTIC WAVE DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À ONDE ÉLASTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 弾性波装置及びその製造方法
Abstract:
(EN) Provided are an elastic wave device that has excellent reliability and a manufacturing method therefor. An elastic wave device (1) is provided with a piezoelectric substrate (20), and an IDT electrode (10) formed on top of the piezoelectric substrate (20). At least one part of the IDT electrode (10) has a first metal layer (13) that does not contain Al, a second metal layer (15) that contains Al, and a third metal layer (17) that does not contain Al. The second metal layer (15) is disposed above the first metal layer (13). The third metal layer (17) is disposed above the second metal layer (15). At least one part of the IDT electrode (10) also has a first metal oxide layer (14) made from an oxide of the first metal layer (13), and a second metal oxide layer (16) made from an oxide of the second metal layer (15). The first metal oxide layer (14) is disposed between the first metal layer (13) and the second metal layer (15). The second metal oxide layer (16) is disposed between the third metal layer (17) and the second metal layer (15).
(FR) L'invention concerne un dispositif à onde élastique qui présente une excellente fiabilité et son procédé de fabrication. Un dispositif à onde élastique (1) comporte un substrat piézoélectrique (20) et une électrode IDT (10) formée sur le dessus du substrat piézoélectrique (20). Au moins une partie de l'électrode IDT (10) comporte une première couche métallique (13) qui ne contient pas Al, une deuxième couche métallique (15) qui contient Al, et une troisième couche métallique (17) qui ne contient pas Al. La deuxième couche métallique (15) est disposée sur le dessus de la première couche métallique (13). La troisième couche métallique (17) est disposée sur le dessus de la deuxième couche métallique (15). La ou les parties de l'électrode IDT (10) comprennent également une première couche d'oxyde métallique (14) faite à partir d'un oxyde de la première couche métallique (13) et une deuxième couche d'oxyde métallique (15) faite à partir d'un oxyde de la deuxième couche métallique (15). La première couche d'oxyde métallique (14) est disposée entre la première couche métallique (13) et la deuxième couche métallique (15). La seconde couche d'oxyde métallique (16) est disposée entre la troisième couche métallique (17) et la deuxième couche métallique (15).
(JA)  優れた信頼性を有する弾性波装置及びその製造方法を提供する。 弾性波装置1は、圧電基板20と、圧電基板20の上に形成されているIDT電極10とを備える。IDT電極10の少なくとも一部は、Alを含まない第1の金属層13と、Alを含む第2の金属層15と、Alを含まない第3の金属層17とを有する。第2の金属層15は、第1の金属層13の上に配されている。第3の金属層17は、第2の金属層15の上に配されている。IDT電極10の少なくとも一部は、第1の金属層13の酸化物からなる第1の金属酸化物層14と、第2の金属層15の酸化物からなる第2の金属酸化物層16とをさらに有する。第1の金属酸化物層14は、第1の金属層13と第2の金属層15との間に配されている。第2の金属酸化物層16は、第3の金属層17と第2の金属層15との間に配されている。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)
Also published as:
JPWO2012169452