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1. (WO2012165507) PHENOLIC RESIN AND MATERIAL FOR FORMING UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2012/165507 International Application No.: PCT/JP2012/063995
Publication Date: 06.12.2012 International Filing Date: 30.05.2012
IPC:
C08G 8/04 (2006.01) ,G03F 7/11 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
C CHEMISTRY; METALLURGY
08
ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
G
MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
8
Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
04
of aldehydes
G PHYSICS
03
PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
F
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
7
Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printed surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004
Photosensitive materials
09
characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
11
having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027
Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing, not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34165
Applicants:
三菱瓦斯化学株式会社 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP (AllExceptUS)
内山 直哉 UCHIYAMA, Naoya [JP/JP]; JP (UsOnly)
東原 豪 HIGASHIHARA, Go [JP/JP]; JP (UsOnly)
越後 雅敏 ECHIGO, Masatoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventors:
内山 直哉 UCHIYAMA, Naoya; JP
東原 豪 HIGASHIHARA, Go; JP
越後 雅敏 ECHIGO, Masatoshi; JP
Agent:
稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki; 東京都港区六本木6-10-1 六本木ヒルズ森タワー23階 TMI総合法律事務所 TMI ASSOCIATES, 23rd Floor, Roppongi Hills Mori Tower, 6-10-1, Roppongi, Minato-ku, Tokyo 1066123, JP
Priority Data:
2011-12502903.06.2011JP
Title (EN) PHENOLIC RESIN AND MATERIAL FOR FORMING UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY
(FR) RÉSINE PHÉNOLIQUE ET MATIÈRE POUR FORMER UN FILM DE SOUS-COUCHE POUR UNE LITHOGRAPHIE
(JA) フェノール系樹脂およびリソグラフィー用下層膜形成材料
Abstract:
(EN) Provided is a novel phenolic resin which is usable as a coating material and a resist resin for a semiconductor, has a high carbon concentration and a low oxygen concentration in the resin, shows a relatively high heat resistance and a relatively high solvent solubility, and is applicable to a wet process. Also provided are: a material useful for forming a novel photoresist underlayer film, said photoresist underlayer film having a relatively high solvent solubility, being applicable to a wet process and having a high etching resistance as an underlayer film for a multilayer resist; an underlayer film formed using the same; a pattern forming method using the same; and so on. The resin according to the present invention is obtained by reacting in the presence of an acidic catalyst a compound having a specific structure with an aldehyde having a specific structure. The material for forming an underlayer film for lithography according to the present invention comprises at least the aforesaid resin and an organic solvent.
(FR) L'invention concerne une nouvelle résine phénolique qui est utilisable comme matière de revêtement et une résine de réserve pour un semi-conducteur, qui a une concentration élevée en carbone et une faible concentration en oxygène dans la résine, qui présente une résistance relativement élevée à la chaleur et une solubilité relativement élevée dans des solvants et qui est applicable à un procédé par voie humide. L'invention concerne également : une matière utile pour former un nouveau film de sous-couche de résine photosensible, ledit film de sous-couche de résine photosensible ayant une solubilité relativement élevée dans des solvants, étant applicable à un procédé par voie humide et ayant une résistance élevée à la gravure comme film de sous-couche pour un réserve multicouches ; un film de sous-couche formé à l'aide de celle-ci ; un procédé de formation de motifs l'utilisant ; etc. La résine selon la présente invention est obtenue par réaction en présence d'un catalyseur acide d'un composé ayant une structure spécifique avec un aldéhyde ayant une structure spécifique. La matière pour former un film de sous-couche pour une lithographie selon la présente invention comprend au moins la résine précédemment mentionnée et un solvant organique.
(JA)  半導体用のコーティング剤やレジスト用樹脂として使用可能であり、樹脂中の炭素濃度が高く、酸素濃度が低く、耐熱性が比較的に高く、溶媒溶解性も比較的に高く、湿式プロセスが適用可能な、新規なフェノール系樹脂を提供する。また、溶媒溶解性が比較的に高く湿式プロセスが適用可能で、多層レジスト用下層膜としてエッチング耐性に優れる新規なフォトレジスト下層膜を形成するために有用な材料、これを用いて形成された下層膜、およびこれを用いたパターン形成方法などを提供する。本発明の樹脂は、特定の構造を有する化合物と特定の構造を有するアルデヒドとを酸性触媒の存在下で反応させて得られるものである。また、本発明のリソグラフィー用下層膜形成材料は、少なくとも該樹脂および有機溶媒を含むものである。
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)
Also published as:
CN103619892EP2716671US20140186776JPWO2012165507KR1020140031273JP6064904