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1. (WO2012165196) INVERTER DRIVING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2012/165196 International Application No.: PCT/JP2012/062943
Publication Date: 06.12.2012 International Filing Date: 21.05.2012
IPC:
H02M 1/08 (2006.01) ,H02M 1/00 (2007.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H ELECTRICITY
02
GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
M
APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1
Details of apparatus for conversion
08
Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
H ELECTRICITY
02
GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
M
APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1
Details of apparatus for conversion
H ELECTRICITY
02
GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
M
APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7
Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42
Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
44
by static converters
48
using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
Applicants:
日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 茨城県ひたちなか市高場2520番地 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503, JP (AllExceptUS)
島野 裕基 SHIMANO, Hiroki [JP/JP]; JP (UsOnly)
八幡 光一 YAHATA, Koichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
赤石 賢生 AKAISHI, Yoshio [JP/JP]; JP (UsOnly)
能登 康雄 NOTO, Yasuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventors:
島野 裕基 SHIMANO, Hiroki; JP
八幡 光一 YAHATA, Koichi; JP
赤石 賢生 AKAISHI, Yoshio; JP
能登 康雄 NOTO, Yasuo; JP
Agent:
永井 冬紀 NAGAI, Fuyuki; 東京都千代田区内幸町2丁目2番2号 富国生命ビル 永井特許事務所 c/o NAGAI & ASSOCIATES, Fukoku Seimei Building, 2-2-2, Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000011, JP
Priority Data:
2011-12121531.05.2011JP
Title (EN) INVERTER DRIVING DEVICE
(FR) DISPOSITIF INVERSEUR
(JA) インバータ駆動装置
Abstract:
(EN) An inverter driving device according to the present invention is provided with: a drive circuit that outputs a gate voltage signal of a power semiconductor element; an overcurrent protection circuit that acquires the voltage from the emitter electrode side of the power semiconductor element, and if the voltage exceeds a first predetermined voltage value, outputs a fault signal for stopping the output of the gate voltage to the drive circuit after the elapse of a first predetermined time since acquiring the voltage from the emitter electrode side; and a Zener clamp protection circuit that acquires the voltage from the emitter electrode side of the power semiconductor element, and if the voltage exceeds a second predetermined voltage value, clamps the gate voltage of the drive circuit after the elapse of a second predetermined time since acquiring the voltage from the emitter electrode side. The Zener clamp protection circuit has a latch circuit that continues the clamping of the gate voltage by the Zener clamp protection circuit for a longer duration than the duration of the first predetermined time, after acquiring the voltage from the emitter electrode side.
(FR) L'invention concerne un dispositif inverseur qui comprend : un circuit d'attaque qui produit le signal de tension de grille d'un élément semiconducteur de puissance ; un circuit de protection contre les surintensités qui détecte la tension sur le côté d'une électrode d'émetteur de l'élément semiconducteur de puissance et produit un signal de défaut afin d'arrêter la fourniture de la tension de grille au circuit d'attaque à la fin d'une première période de temps prédéterminée après l'acquisition de la tension sur le côté de l'électrode d'émetteur, lorsque la tension dépasse une première valeur prédéterminée de tension ; et un circuit de protection à diode Zener d'écrêtage qui obtient la tension du côté de l'électrode d'émetteur de l'élément semiconducteur de puissance et qui écrête la tension de grille du circuit d'attaque à la fin d'une deuxième période de temps prédéterminée suivant l'acquisition de la tension sur le côté de l'électrode d'émetteur, lorsque la tension dépasse une deuxième valeur prédéterminée de tension. Le circuit de protection à diode Zener d'écrêtage possède un circuit de verrouillage qui continue l'écrêtage de la tension de grille par le circuit de protection pendant une période plus longue que la première période de temps prédéterminée, après l'acquisition de la tension du côté de l'électrode d'émetteur.
(JA)  本発明によるインバータ駆動装置は、パワー半導体素子のゲート電圧信号を出力するドライブ回路と、パワー半導体素子のエミッタ電極側の電圧を取得し、当該電圧が予め定められた第1所定電圧値を越えた場合に、エミッタ電極側の電圧を取得してから第1所定時間経過後に、ドライブ回路にゲート電圧の出力を停止するためのフォルト信号を出力する過電流保護回路と、パワー半導体素子のエミッタ電極側の電圧を取得し、当該電圧が予め定められた第2所定電圧値を越えた場合に、エミッタ電極側の電圧を取得してから第2所定時間経過後に、ドライブ回路の前記ゲート電圧のクランプを行うツェナクランプ保護回路と、を備える。ツェナクランプ保護回路は、エミッタ電極側の電圧を取得した後、第1所定時間の期間よりも大きい期間、当該ツェナクランプ保護回路によるゲート電圧のクランプを継続させるラッチ回路を有する。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)
Also published as:
US20140085762CN103582993