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1. (WO2012146668) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP HAVING INTEGRATED ESD PROTECTION
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Pub. No.: WO/2012/146668 International Application No.: PCT/EP2012/057676
Publication Date: 01.11.2012 International Filing Date: 26.04.2012
IPC:
H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 33/14 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
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with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
Applicants:
LÖFFLER, Andreas [DE/DE]; DE (UsOnly)
LEIRER, Christian [DE/DE]; DE (UsOnly)
BUTENDEICH, Rainer [DE/DE]; DE (UsOnly)
MEYER, Tobias [DE/DE]; DE (UsOnly)
PETER, Matthias [DE/DE]; DE (UsOnly)
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE (AllExceptUS)
Inventors:
LÖFFLER, Andreas; DE
LEIRER, Christian; DE
BUTENDEICH, Rainer; DE
MEYER, Tobias; DE
PETER, Matthias; DE
Agent:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstraße 55 80339 München, DE
Priority Data:
10 2011 100 037.629.04.2011DE
Title (EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP HAVING INTEGRATED ESD PROTECTION
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE ÉMETTANT UN RAYONNEMENT, PRÉSENTANT UNE PROTECTION INTÉGRÉE CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
(DE) STRAHLUNG EMITTIERENDER HALBLEITERCHIP MIT INTEGRIERTEM ESD-SCHUTZ
Abstract:
(EN) The invention relates to a radiation-emitting semiconductor chip (1) having a semiconductor layer sequence (2) that is based on a nitride compound semiconductor material and that has a p-n junction, comprising a first protective layer (3), which has deliberately introduced crystal defects (4), wherein the first protective layer (3) is designed to protect the semiconductor chip (1) from electrostatic discharge pulses, an active zone (7) for producing radiation, which is arranged after the first protective layer (3, 5) in the growth direction (W), wherein the breakdown behavior of the semiconductor layer sequence (2) in the blocking direction in areas having crystal defects (4) differs from areas without crystal defects during operation of the semiconductor chip (1), and wherein dissipation of electrical charge is homogeneously distributed via the areas having crystal defects (4) in the event of electrostatic discharge pulses.
(FR) L'invention concerne une puce semi-conductrice (1) émettant un rayonnement, comportant une succession de couches semi-conductrices (2) basée sur un matériau semi-conducteur de liaison au nitrure avec une jonction pn, comprenant : - une première couche de protection (3) qui présente des défauts cristallins (4) incorporés de manière ciblée, la première couche de protection (3) étant destinée à assurer la protection de la puce semi-conductrice (1) contre les impulsions de décharges électrostatiques; - une zone active (7) destinée à générer un rayonnement, laquelle est agencée après la première couche de protection (3, 5) dans le sens de la croissance (W). Lors du fonctionnement de la puce semi-conductrice (1), le comportement à la rupture de la succession de couches semi-conductrices (2) dans le sens d'état bloqué dans les zones présentant les défauts cristallins (4) se différentie du comportement à la rupture dans les zones sans défauts cristallins. En présence d'impulsions de décharges électrostatiques, la charge électrique est déviée pour être répartie de manière homogène sur les zones présentant des défauts cristallins (4).
(DE) Es wird ein Strahlung emittierender Halbleiterchip (1) mit einer auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basierenden Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem pn-Übergang angegeben umfassend - eine erste Schutzschicht (3), die gezielt eingebrachte Kristalldefekte (4) aufweist, wobei die erste Schutzschicht (3) zum Schutz des Halbleiterchips (1) vor elektrostatischen Entladungspulsen vorgesehen ist, - eine aktive Zone (7) zur Strahlungserzeugung, die der ersten Schutzschicht (3, 5) in Wachstumsrichtung (W) nachgeordnet ist, wobei sich im Betrieb des Halbleiterchips (1) ein Durchbruchverhalten der Halbleiterschichtenfolge (2) in Sperrrichtung in Bereichen mit Kristalldefekten (4) von Bereichen ohne Kristalldefekte unterscheidet, und wobei bei elektrostatischen Entladungspulsen elektrische Ladung homogen verteilt über die Bereiche mit Kristalldefekten (4) abgeleitet wird.
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)