Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2012141123) VOLTAGE GENERATING CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2012/141123 International Application No.: PCT/JP2012/059643
Publication Date: 18.10.2012 International Filing Date: 09.04.2012
IPC:
G05F 3/30 (2006.01)
G PHYSICS
05
CONTROLLING; REGULATING
F
SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
3
Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
02
Regulating voltage or current
08
wherein the variable is dc
10
using uncontrolled devices with non-linear characteristics
16
being semiconductor devices
20
using diode-transistor combinations
30
Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
Applicants:
佐野 真也 SANO, Shinya [JP/JP]; JP (UsOnly)
堀口 真志 HORIGUCHI, Masashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
三木 隆博 MIKI, Takahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
平木 充 HIRAKI, Mitsuru [JP/JP]; JP (UsOnly)
ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区下沼部1753番地 1753, Shimonumabe, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118668, JP (AllExceptUS)
Inventors:
佐野 真也 SANO, Shinya; JP
堀口 真志 HORIGUCHI, Masashi; JP
三木 隆博 MIKI, Takahiro; JP
平木 充 HIRAKI, Mitsuru; JP
Agent:
玉村 静世 TAMAMURA, Shizuyo; 東京都千代田区神田小川町1丁目1番地 山城ビル901号 Room 901, Yamashiro Building, 1, Kanda Ogawamachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010052, JP
Priority Data:
2011-08807212.04.2011JP
Title (EN) VOLTAGE GENERATING CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE GÉNÉRATION DE TENSION
(JA) 電圧発生回路
Abstract:
(EN) Provided is a voltage generating circuit provided with: a first bipolar transistor (Q2); a second bipolar transistor (Q1) of which the emitter is configured to have an electrical potential identical that of the emitter side of the (Q2) at a first electrical potential node side and of which the base is positioned at the collector side of the (Q2); a first resistor element (R2) of which one end is positioned at the collector side of the (Q2) and of which the other end is positioned at the base side of the (Q2); a second resistor element (R1) of which one end is positioned at the collector side of the (Q1) and of which the other end is connected to the other end of the (R2); a third resistor element (R3) provided between the base of the (Q2) and the first electrical potential node; an amplifier unit (A1) which outputs a voltage according to a difference in collector side voltage between the (Q1) and the (Q2); voltage current converter units (MP1, MP2) which convert the voltage outputted from the amplifier unit into an electrical current, supply this electrical current to the connection nodes of the (R1) and the (R2), and output the generated electrical current; and a voltage generating unit (R4) which outputs a voltage on the basis of the generated electrical current.
(FR) L'invention porte sur un circuit de génération de tension qui comporte : un premier transistor bipolaire (Q2) ; un second transistor bipolaire (Q1) dont l'émetteur est configuré pour avoir un potentiel électrique identique à celui du côté émetteur de (Q2) à un côté de premier nœud de potentiel électrique et dont la base est positionnée au côté collecteur de (Q2) ; un premier élément de résistance (R2) dont une extrémité est positionnée au côté collecteur de (Q2) et dont l'autre extrémité est positionnée au côté base de (Q2) ; un deuxième élément de résistance (R1) dont une extrémité est positionnée au côté collecteur de (Q1) et dont l'autre extrémité est connectée à l'autre extrémité de (R2) ; un troisième élément de résistance (R3) disposé entre la base de (Q2) et le premier nœud de potentiel électrique ; et une unité amplificatrice (A1) qui émet une tension conformément à une différence de tension côté collecteur entre (Q1) et (Q2) ; des unités de convertisseur tension-courant (MP1, MP2) qui convertissent la tension émise à partir de l'unité amplificatrice en un courant électrique, fournissent ce courant électrique aux nœuds de connexion de (R1) et (R2), et émettent le courant électrique généré ; et une unité de génération de tension (R4) qui émet une tension sur la base du courant électrique généré.
(JA) 電圧発生回路は、第1バイポーラトランジスタ(Q2)と、エミッタが第1電位ノード側でQ2のエミッタ側と同電位とされ、ベースがQ2のコレクタ側に配置される第2バイポーラトランジスタ(Q1)と、一端がQ2のコレクタ側に配置され他端がQ2のベース側に配置される第1抵抗素子(R2)と、一端がQ1のコレクタ側に配置され他端がR2の他端に接続される第2抵抗素子(R1)と、Q2のベースと第1電位ノードの間に設けられる第3抵抗素子(R3)と、Q1とQ2のコレクタ側の電圧の差電圧に応じた電圧を出力するアンプ部(A1)と、アンプ部の出力電圧を電流に変換してR1とR2の接続ノードに供給し、生成した電流を出力する電圧電流変換部(MP1、MP2)と、生成された電流に基づいて電圧を出力する電圧生成部(R4)を有する。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)