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1. (WO2012128271) HIGH FREQUENCY MODULE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/128271    International Application No.:    PCT/JP2012/057122
Publication Date: 27.09.2012 International Filing Date: 21.03.2012
IPC:
H04B 1/40 (2006.01)
Applicants: Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (For All Designated States Except US).
ONO Atsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ONO Atsushi; (JP)
Agent: Kaede Patent Attorneys' Office; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
Priority Data:
2011-065149 24.03.2011 JP
Title (EN) HIGH FREQUENCY MODULE
(FR) MODULE À HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波モジュール
Abstract: front page image
(EN)A multilayer board (20) comprises therein wire conductors (W1 to W3), ground conductors (G1 to G4), interlayer connection conductors (V1 to V5), and a matching inductor (L1). A control signal input terminal (21) is formed on the second main surface (lower surface) of the multilayer board (20). An electrode on which a high frequency switch (31) is attached is in electrical continuity with the wire conductors (W1, W2) through the interlayer connection conductors (V2, V3). A wire conductor (W1) for control signals is formed on a dielectric layer close to the second main surface (lower surface) of the multilayer board (20). The wire conductor (W2) for high frequency signals is formed on a dielectric layer close to the first main surface (upper surface) of the multilayer board (20). The ground conductor (G3) which overlaps the wire conductor (W1) for control signals in planer view, and the ground conductor (G1) for conducting matching elements, are separated by a separation portion (S). With this structure, the influence of harmonic noise caused by the input of a high frequency switch control signal is reduced, and the deterioration of the communication property can be improved.
(FR)L'invention concerne une plaquette multicouches (20) qui intègre des conducteurs en fil métallique (W1 à W3), des conducteurs de mise à la terre (G1 à G4), des conducteurs à connexion de couche intercalaire (V1 à V5), et un inducteur apparié (L1). Selon l'invention, une borne d'entrée de signal de commande (21) est formée sur la seconde surface principale (soit la surface inférieure) de la plaquette multicouches (20). Une électrode, sur laquelle est monté un interrupteur à haute fréquence (31), se trouve en continuité électrique avec les conducteurs en fil métallique (W1, W2) par l'intermédiaire des conducteurs à connexion de couche intercalaire (V2, V3). Le conducteur en fil métallique (W1) conçu pour des signaux de commande, est formé sur une couche diélectrique qui est proche de la seconde surface principale (soit la surface inférieure) de la plaquette multicouches (20). Pour sa part, le conducteur en fil métallique (W2), destiné aux signaux en haute fréquence, est formé sur une couche diélectrique proche de la première surface principale (soit la surface supérieure) de la plaquette multicouches (20). Le conducteur de mise à la terre (G3), qui chevauche le conducteur en fil métallique (W1) pour les signaux de commande, sur une vue en plan, ainsi que le conducteur de mise à la terre (G1), destiné aux éléments appariés conducteurs, sont séparés par une section séparatrice (S). Grâce à cette structure, il est possible d'une part de réduire l'influence du bruit des harmoniques engendré par l'entrée d'un signal de commande de l'interrupteur à haute fréquence, et d'autre part de minimiser la détérioration des propriétés de communication.
(JA) 多層基板(20)は、その内部に配線導体(W1~W3)、グランド導体(G1~G4)、層間接続導体(V1~V5)、整合用インダクタ(L1)を備えている。多層基板(20)の第2主面(下面)には制御信号入力端子(21)が形成されている。高周波スイッチ(31)が搭載される電極と配線導体(W1,W2)とは層間接続導体(V2,V3)介して導通している。制御信号用配線導体(W1)は多層基板(20)の第2主面(下面)に近い誘電体層上に形成されていて、高周波信号配線導体(W2)は多層基板(20)の第1主面(上面)に近い誘電体層上に形成されている。制御信号用配線導体(W1)に平面視で重なるグランド導体(G3)と整合用素子導通グランド導体(G1)とは分離部(S)で分離されている。この構造により、高周波スイッチ制御信号が入力されることによる高調波ノイズの影響を受け難くして通信特性の劣化を改善する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)