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1. (WO2012128029) GATE VALVE UNIT, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/128029    International Application No.:    PCT/JP2012/055711
Publication Date: 27.09.2012 International Filing Date: 06.03.2012
IPC:
C23C 16/44 (2006.01), F16J 15/10 (2006.01), F16J 15/52 (2006.01), F16K 3/18 (2006.01), F16K 27/00 (2006.01), F16K 49/00 (2006.01), F16K 51/02 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Applicants: Tokyo Electron Limited [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1076325 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMAMOTO, Kaoru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HARA, Masamichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MIYASHITA, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YAMAMOTO, Kaoru; (JP).
HARA, Masamichi; (JP).
MIYASHITA, Tetsuya; (JP)
Agent: ITOH, Tadahiko; 16th Floor, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Seimei Building), 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2011-061636 18.03.2011 JP
Title (EN) GATE VALVE UNIT, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD THEREOF
(FR) UNITÉ DE ROBINET-VANNE, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT CORRESPONDANT
(JA) ゲートバルブ装置及び基板処理装置並びにその基板処理方法
Abstract: front page image
(EN)A substrate processing device is provided with: a hot wall chamber the pressure in which can be reduced and which comprises a side wall the temperature of which becomes higher than the normal temperature, and a first substrate carry-in/out port provided in the side wall; a transfer chamber the pressure in which can be reduced and which comprises a transfer arm mechanism for carrying the substrate into and out of the hot wall chamber, and a second substrate carry-in/out port; and a gate valve unit which is provided between the hot wall chamber and the transfer chamber. The gate valve unit is provided with: a housing which comprises side walls in which a communication hole, a first housing substrate carry-in/out port, and a second housing substrate carry-in/out port are provided; a valve element which is ascendible and descendible within the housing; and a double seal structure which comprises a first seal member and a second seal member provided outside the first seal member, and the communication hole causes a gap between the first seal member and the second seal member to communicate with the space within the housing.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de traitement de substrat qui comporte : une chambre à paroi chaude dans laquelle la pression peut être réduite et qui comprend une paroi latérale dont la température devient plus élevée que la température normale, et un premier orifice faisant entrer/sortir un substrat disposé dans la paroi latérale ; une chambre de transfert dans laquelle la pression peut être réduite et qui comprend un mécanisme de bras de transfert pour transporter le substrat dans et hors de la chambre à paroi chaude, et un second orifice faisant entrer/sortir le substrat ; et une unité de robinet-vanne qui est disposée entre la chambre à paroi chaude et la chambre de transfert. L'unité de robinet-vanne comporte : un boîtier qui comprend des parois latérales dans lesquelles un trou de communication, un premier orifice faisant entrer/sortir le substrat de boîtier, et un second orifice faisant entrer/sortir le substrat de boîtier sont prévus ; un élément de robinet qui est apte à monter et descendre à l'intérieur du boîtier ; et une structure de double étanchéité qui comprend un premier élément d'étanchéité et un second élément d'étanchéité disposé à l'extérieur du premier élément d'étanchéité, et le trou de communication créant un espace entre le premier élément d'étanchéité et le second élément d'étanchéité pour communiquer avec l'espace à l'intérieur du boîtier.
(JA) 温度が常温よりも高くなる側壁と,前記側壁に設けられた第1基板搬出入口とを有する減圧可能なホットウォールチャンバと,前記ホットウォールチャンバに対して基板を搬出入する搬送アーム機構と,第2基板搬出入口とを有する減圧可能なトランスファチャンバと,前記ホットウォールチャンバと前記トランスファチャンバの間に設けられるゲートバルブ装置と,を備えた基板処理装置。前記ゲートバルブ装置は,連通孔と,第1筐体基板搬出入口と,第2筐体基板搬出入口とが,設けられた側壁を有する筐体と,前記筐体の内部を昇降自在な弁体と,第1シール部材と前記第1シール部材の外側に設けられた第2シール部材とを有する二重シール構造と,を備え、前記連通孔は,前記第1シール部材と前記第2シール部材との間の隙間を前記筐体の内部空間に連通する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)