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1. (WO2012127006) MANUFACTURING METHOD FOR A SEMICONDUCTOR ON INSULATOR TYPE SUBSTRATE FOR RADIOFREQUENCY APPLICATIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/127006    International Application No.:    PCT/EP2012/055133
Publication Date: 27.09.2012 International Filing Date: 22.03.2012
IPC:
H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: SOITEC [FR/FR]; Chemin des Franques F-38190 Bernin (FR) (For All Designated States Except US).
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25, rue Leblanc Bâtiment Le Ponant D F-75015 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
ALLIBERT, Frédéric [FR/FR]; (FR) (For US Only).
WIDIEZ, Julie [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: ALLIBERT, Frédéric; (FR).
WIDIEZ, Julie; (FR)
Agent: COLLIN, Jérôme; Cabinet Regimbeau 20, rue de Chazelles F-75847 Paris Cedex 17 (FR)
Priority Data:
1152355 22.03.2011 FR
Title (EN) MANUFACTURING METHOD FOR A SEMICONDUCTOR ON INSULATOR TYPE SUBSTRATE FOR RADIOFREQUENCY APPLICATIONS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR UN SEMI-CONDUCTEUR SUR UN SUBSTRAT DE TYPE ISOLATEUR POUR APPLICATIONS À RADIOFRÉQUENCE
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a method for manufacturing a semiconductor on insulator type substrate for radiofrequency applications, comprising the following steps in sequence: (a) provision of a silicon substrate (1) with an electrical resistivity of more than 500 Ohm. cm, (b) formation of a polycrystalline silicon layer (4) on said substrate (1), said method comprising a step between steps a) and b) to form a dielectric material layer (5), different from a native oxide layer, on the substrate (1), between 0.5 and 10 nm thick.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un semi-conducteur sur un substrat de type isolateur pour applications à radiofréquence, comprenant les étapes suivantes les unes à la suite des autres : (a) la fourniture d'un substrat en silicium (1) doté d'une résistivité électrique supérieure à 500 Ohm. cm, (b) la formation d'une couche de silicium polycristallin (4) sur ledit substrat (1), ledit procédé comprenant une étape entre les étapes a) et b) pour former une couche de matériau diélectrique (5), différente d'une couche d'oxyde natif, sur le substrat (1), présentant une épaisseur comprise entre 0,5 et 10 nm.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)