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1. (WO2012126847) EMISSIVE ELEMENT FOR LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH ELEMENT AND DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/126847    International Application No.:    PCT/EP2012/054697
Publication Date: 27.09.2012 International Filing Date: 16.03.2012
IPC:
H01L 51/50 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01)
Applicants: POLYPHOTONIX LIMITED [GB/GB]; Thomas Wright Way Netpark Sedgefield County Durham TS21 3FG (GB) (For All Designated States Except US).
VERES, Janos [HU/US]; (GB) (For US Only)
Inventors: VERES, Janos; (GB)
Agent: FOOTE, Harrison, Goddard; Saviour House 9 St Saviourgate York YO1 8NQ (GB)
Priority Data:
11159043.6 21.03.2011 EP
Title (EN) EMISSIVE ELEMENT FOR LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH ELEMENT AND DEVICE
(FR) ÉLÉMENT ÉMETTEUR POUR DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT, DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CET ÉLÉMENT ET DE CE DISPOSITIF
Abstract: front page image
(EN)An emissive element for a device (700) for emitting electromagnetic radiation is disclosed. The emissive element comprises at least one emissive layer (706) including at least one organic material, and a plurality of interconnect islands (703, 704) embedded in at least one predetermined said emissive layer and separated from each other. Each of a plurality of said interconnect islands comprises respective electron injecting means (703A, 704A) and respective hole injecting means (703B, 704B), wherein at least one emissive domain is defined by at least part of said electron injecting means of a respective first said interconnect island, at least part of said hole injecting means of a respective second said interconnect island adjacent said first interconnect island and a respective region of said emissive layer separating said electron injecting means and said hole injecting means. Application of a suitable electric field to the emissive layer in use in a device for emitting electromagnetic radiation causes electron injecting means and hole injecting means of at least one said domain to supply electrons and holes respectively, to cause said at least one said emissive domain to emit electromagnetic radiation.
(FR)L'invention concerne un élément émetteur pour un dispositif (700) destiné à émettre un rayonnement électromagnétique. L'élément émetteur comprend au moins une couche émettrice (706) comprenant au moins un matériau organique et une pluralité d'îlots d'interconnexion (703, 704) noyés dans au moins l'une des couches émettrices prédéterminées et séparés les uns des autres. Chacun des îlots dans ladite pluralité des îlots d'interconnexion comprend des moyens d'injection d'électrons (703A, 704A) respectifs et des moyen sd'injection de trous (703B, 704B) respectifs. Au moins un domaine d'émission est défini par au moins une partie dudit moyen d'injection d'électrons d'un premier desdits îlots d'interconnexion, par au moins une partie dudit moyen d'injection de trous d'un second îlot d'interconnexion adjacent au premier îlot d'interconnexion et par une région respective de ladite couche émettrice qui sépare ledit moyen d'injection d'électrons et ledit moyen d'injection de trous. L'application d'un champ électrique approprié sur la couche émettrice en service dans un dispositif d'émission de rayonnement électromagnétique commande au moyen d'injection d'électrons et au moyen d'injection de trous dans ledit au moins un domaine de fournir des électrons et des trous, respectivement, amenant ledit au moins un domaine émetteur à émettre un rayonnement électromagnétique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)