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1. (WO2012126725) INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING AN ELECTRICAL THROUGH-PLATING AND METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRICAL THROUGH-PLATING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/126725    International Application No.:    PCT/EP2012/053849
Publication Date: 27.09.2012 International Filing Date: 07.03.2012
IPC:
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
HEDLER, Harry [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHIEBER, Markus [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WIRTH, Stefan [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ZAPF, Jörg [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HEDLER, Harry; (DE).
SCHIEBER, Markus; (DE).
WIRTH, Stefan; (DE).
ZAPF, Jörg; (DE)
Common
Representative:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34 80506 München (DE)
Priority Data:
10 2011 005 978.4 23.03.2011 DE
Title (DE) INTEGRIERTE SCHALTUNG MIT EINER ELEKTRISCHEN DURCHKONTAKTIERUNG SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER ELEKTRISCHEN DURCHKONTAKTIERUNG
(EN) INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING AN ELECTRICAL THROUGH-PLATING AND METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRICAL THROUGH-PLATING
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ COMPRENANT UN TROU D'INTERCONNEXION ÉLECTRIQUE AINSI QUE PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION D'UN TROU D'INTERCONNEXION ÉLECTRIQUE
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung (1), umfassend ein Substrat (10) mit einer ersten Oberfläche (11) und einer gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (12), wobei ein funktionalisierter Bereich (13) zumindest an der ersten Oberfläche (11) ausgebildet ist und wobei wenigstens eine elektrische Durchkontaktierung (40) als ein von der ersten Oberfläche (11) zur zweiten Oberfläche (12) durch das Substrat (10) hindurch verlaufendes und mit einem elektrisch leitfähigen Material (44) durchgängig aufgefülltes Durchgangsloch (42) vorgesehen ist. Um die Durchkontaktierung (40) zuverlässig herstellbar und platzsparend vorzusehen, weist das Durchgangsloch (42) wenigstens eine Abstufung (46) auf, an der ein Übergang von einem kleineren Lochquerschnitt (d1) seitens der ersten Oberfläche (11) zu einem größeren Lochquerschnitt (d2) seitens der zweiten Oberfläche (12) erfolgt.
(EN)The invention relates to an integrated circuit (1), comprising a substrate (10) having a first surface (11) and an opposing second surface (12), wherein a functionalized region (13) is formed at least on the first surface (11) and wherein at least one electrical through-plating (40) is provided as a through-hole (42) which is continuously filled with an electrically conductive material (44) and which runs from the first surface (11) to the second surface (12) through the substrate (10). In order to ensure that the through-plating (40) can be reliably produced and is provided in a space-saving manner, the through-hole (42) has at least one gradation (46) on which a transition occurs from a smaller hole cross-section (d1) on the side of the first surface (11) to a larger hole cross-section (d2) on the side of the second surface (12).
(FR)L'invention concerne un circuit intégré (1) comportant un substrat (10) doté d'une première surface (11) et une deuxième surface (12) opposée. Une région fonctionnalisée (13) est formée au moins sur la première surface (11) et au moins un trou d'interconnexion électrique (40) est conçu comme un trou traversant (42) s'étendant de la première surface (11) jusqu'à la deuxième surface (12) à travers le substrat (10) et totalement rempli d'un matériau électroconducteur (44). Pour que le trou d'interconnexion (40) puisse être produit de manière fiable et soit peu encombrant, le trou traversant (42) présente au moins un gradin (46) où a lieu une transition d'une plus petite section transversale (d1) de trou du côté de la première surface (11) vers une plus grande section transversale (d2) de trou du côté de la deuxième surface (12).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)