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1. (WO2012126237) METHOD FOR MODELING SOI FIELD-EFFECT TRANSISTOR SPICE MODEL SERIES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2012/126237 International Application No.: PCT/CN2011/080144
Publication Date: 27.09.2012 International Filing Date: 25.09.2011
IPC:
G06F 17/50 (2006.01)
G PHYSICS
06
COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
F
ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
17
Digital computing or data processing equipment or methods, specially adapted for specific functions
50
Computer-aided design
Applicants: CHEN, Jing[CN/CN]; CN (UsOnly)
WU, Qingqing[CN/CN]; CN (UsOnly)
LUO, Jiexin[CN/CN]; CN (UsOnly)
CHAI, Zhan[CN/CN]; CN (UsOnly)
WANG, Xi[CN/CN]; CN (UsOnly)
SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES[CN/CN]; No. 865, Changning Road Changning District, Shanghai 200050, CN (AllExceptUS)
Inventors: CHEN, Jing; CN
WU, Qingqing; CN
LUO, Jiexin; CN
CHAI, Zhan; CN
WANG, Xi; CN
Agent: J.Z.M.C PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE; Room 5022, No.335, GUODing Road Yangpu District, Shanghai 200433, CN
Priority Data:
201110072771.824.03.2011CN
Title (EN) METHOD FOR MODELING SOI FIELD-EFFECT TRANSISTOR SPICE MODEL SERIES
(FR) PROCÉDÉ DE MODÉLISATION D'UNE SÉRIE DE MODÈLES SPICE D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DE TYPE SILICIUM SUR ISOLANT
(ZH) 一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法
Abstract:
(EN) Disclosed is a method for modeling an SOI field-effect transistor SPICE model series. An auxiliary component is manufactured via designing, electrical characteristic data are acquired; a model parameter is extracted on the basis of intermediate data; a SPICE model is established for a floating-body structure SOI field-effect transistor; a model parameter is extracted using the intermediate data and auxiliary component data; a macro model is coded; and an SPICE model is established for a body-tied structure SOI field-effect transistor. The modeling method provided in the present invention takes into consideration the effect of a parasitic transistor of a tied part within the body-tied structure. The model series established using the method allows for improved accuracy in responding to the practical working conditions and electrical characteristics of the body-tied structure and floating-body structure SOI field-effect transistor, thus improving the fitting effect of the model.
(FR) La présente invention concerne un procédé de modélisation d'une série de modèles SPICE d'un transistor à effet de champ de type silicium sur isolant. Un composant auxiliaire est fabriqué selon une certaine conception. Des données de caractéristiques électriques sont obtenues. Un paramètre de modèle est extrait sur la base des données intermédiaires. Un modèle SPICE est établi pour un transistor à effet de champ de type silicium sur isolant à structure à corps flottant. Un paramètre de modèle est extrait à l'aide des données intermédiaires et des données du composant auxiliaire. Un macromodèle est codé. Enfin, un modèle SPICE est établi pour un transistor à effet de champ de type silicium sur isolant à structure fixée au corps. Le procédé de modélisation d'après la présente invention tient compte de l'effet d'un transistor parasite d'une partie fixée à l'intérieur de la structure fixée au corps. La série de modèles établie à l'aide du procédé permet une précision accrue en répondant aux conditions de travail pratiques et aux caractéristiques électriques du transistor à effet de champ de type silicium sur isolant à structure fixée au corps et à structure à corps flottant, ce qui améliore l'effet d'ajustement du modèle.
(ZH) 本发明公开了一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法,通过设计制作辅助器件,测量电学特性数据,获取中间数据,在中间数据的基础上提取模型参数,建立浮体结构SOI场效应晶体管的SPICE模型,并利用中间数据及辅助器件数据提取模型参数,编写宏模型,建立体引出结构SOI场效应晶体管的SPICE模型。本发明提出的建模方法考虑了体引出结构中引出部分的寄生晶体管的影响,利用该方法建立的模型系列能更加准确的反应体引出结构及浮体结构的SOI场效应晶体管的实际工作情况及电学特性,提高了模型的拟和效果。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)