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1. (WO2012124814) SUCCESSIVE DEPOSITION APPARATUS AND SUCCESSIVE DEPOSITION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/124814    International Application No.:    PCT/JP2012/056951
Publication Date: 20.09.2012 International Filing Date: 13.03.2012
IPC:
C23C 14/24 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
SEO, Satoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IKEDA, Hisao; (For US Only).
NIBOSHI, Manabu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MITSUHASHI, Katsunori; (For US Only).
MITSUI, Seiichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMAMOTO, Yoshitaka [--/JP]; (JP) (For US Only).
Sharp Kabushiki Kaisha [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US)
Inventors: SEO, Satoshi; (JP).
IKEDA, Hisao; .
NIBOSHI, Manabu; (JP).
MITSUHASHI, Katsunori; .
MITSUI, Seiichi; (JP).
YAMAMOTO, Yoshitaka; (JP)
Priority Data:
2011-055533 14.03.2011 JP
2011-055534 14.03.2011 JP
Title (EN) SUCCESSIVE DEPOSITION APPARATUS AND SUCCESSIVE DEPOSITION METHOD
(FR) APPAREIL DE DÉPÔTS SUCCESSIFS ET PROCÉDÉ DE DÉPÔTS SUCCESSIFS
Abstract: front page image
(EN)A successive deposition apparatus by which a reduction in the luminous efficiency of a light-emitting element can be suppressed even in high-speed deposition of a light-emitting layer thereof is provided. The apparatus includes: a second deposition chamber; a third deposition chamber coupled to the second deposition chamber; a transfer unit for transferring a substrate from second deposition chamber to third deposition chamber; plural third deposition sources arranged in the substrate transfer direction in the second deposition chamber; and a fourth and fifth deposition sources alternately arranged in the transfer direction in the third deposition chamber. In the third deposition chamber, the fourth deposition source is placed nearest to the second deposition source. The fourth deposition source contains a host material, and the fifth deposition source contains a dopant material. The HOMO level of a material of the third deposition source is adjusted to that of the host material.
(FR)L'invention concerne un appareil de dépôts successifs par lequel une réduction dans le rendement lumineux d'un élément émettant de la lumière peut être diminuée même dans un dépôt à haute vitesse d'une couche émettant de la lumière de celui-ci. L'appareil comprend : une deuxième chambre de dépôt ; une troisième chambre de dépôt couplée à la deuxième chambre de dépôt ; une unité de transfert pour transférer un substrat de la deuxième chambre de dépôt à la troisième chambre de dépôt ; plusieurs troisièmes sources de dépôt disposées dans la direction de transfert de substrat dans la deuxième chambre de dépôt ; et une quatrième et une cinquième source de dépôt disposées de façon alternée dans la direction de transfert dans la troisième chambre de dépôt. Dans la troisième chambre de dépôt, la quatrième source de dépôt est placée au plus près de la deuxième source de dépôt. La quatrième source de dépôt contient un matériau hôte, et la cinquième source de dépôt contient un matériau dopant. Le niveau de la plus haute orbitale moléculaire occupée (HOMO) d'un matériau de la troisième source de dépôt est ajusté à celui du matériau hôte.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)