WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012124597) RESIST UNDERLAYER FILM FORMATION COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN USING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2012/124597 International Application No.: PCT/JP2012/055963
Publication Date: 20.09.2012 International Filing Date: 08.03.2012
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: OHNISHI, Ryuji[JP/JP]; JP (UsOnly)
ENDO, Takafumi[JP/JP]; JP (UsOnly)
SAKAMOTO, Rikimaru[JP/JP]; JP (UsOnly)
NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.[JP/JP]; 7-1, Kandanishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1010054, JP (AllExceptUS)
Inventors: OHNISHI, Ryuji; JP
ENDO, Takafumi; JP
SAKAMOTO, Rikimaru; JP
Agent: HANABUSA, Tsuneo; c/o Hanabusa Patent Office, Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1010062, JP
Priority Data:
2011-05659315.03.2011JP
Title (EN) RESIST UNDERLAYER FILM FORMATION COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN USING SAME
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSIST ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF DE RÉSIST L'UTILISANT
(JA) レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
Abstract: front page image
(EN) [Problem] To provide a resist underlayer film formation composition that is for lithography and is able to form a uniform resist underlayer film having no defects even when forming a thin film having a thickness of no greater than 20 nm. [Solution] The resist underlayer film formation composition for lithography contains an organic solvent, a compound that promotes a cross-linking reaction, a cross-linking agent, and a polymer having the structure represented by formula (1) at the polymer chain terminus. (In the formula: R1, R2, and R3 each independently represent a hydrogen atom, a straight-chain or branched-chain hydrocarbon group having 1-13 carbon atoms, or a hydroxyl group; at least one of R1, R2, and R3 is the hydrocarbon group; m and n each independently represent 0 or 1; and the primary chain of the polymer is bonded with a methylene group when n represents 1 and is bounded to a group represented by -O- when n represents 0.)
(FR) L'invention a pour but de proposer une composition de formation de film de sous-couche de résist qui est destinée à la lithographie et est apte à former un film de sous-couche de résist uniforme n'ayant pas de défauts même lorsque l'on forme un film mince ayant un épaisseur non supérieure à 20 nm. A cet effet, selon l'invention, la composition de formation de film de sous-couche de résist pour la lithographie contient un solvant organique, un composé qui favorise une réaction de réticulation, un agent de réticulation et un polymère ayant la structure représentée par la formule (1) à l'extrémité terminale de la chaîne de polymère. (Dans la formule : R1, R2 et R3 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène, un groupe hydrocarboné à chaîne droite ou à chaîne ramifiée ayant 1-13 atomes de carbone ou un groupe hydroxyle ; au moins l'un parmi R1, R2 et R3 représente le groupe hydrocarboné ; m et n représentent chacun indépendamment 0 ou 1 ; et la chaîne primaire du polymère est liée avec un groupe méthylène lorsque n représente 1 et est liée à un groupe représenté par -O- lorsque n représente 0).
(JA) 【課題】 本発明は、膜厚20nm以下の薄膜を形成する場合であっても、欠陥のない均一なレジスト下層膜を形成することができる、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】 下記式(1)で表される構造をポリマー鎖の末端に有するポリマー、架橋剤、架橋反応を促進させる化合物及び有機溶媒を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。(式中、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1乃至13の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基、又はヒドロキシ基を表し、前記R1、R2及びR3の少なくとも1つは前記炭化水素基であり、m及びnはそれぞれ独立に0又は1を表し、前記ポリマーの主鎖はnが1を表す場合メチレン基と結合し、nが0を表す場合-O-で表される基と結合する。)
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)