WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012124512) VAPOR DEPOSITION APPARATUS, VAPOR DEPOSITION METHOD, AND ORGANIC EL DISPLAY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/124512    International Application No.:    PCT/JP2012/055380
Publication Date: 20.09.2012 International Filing Date: 02.03.2012
IPC:
H05B 33/10 (2006.01), C23C 14/00 (2006.01), C23C 14/04 (2006.01), C23C 14/54 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
KAWATO Shinichi; (For US Only).
INOUE Satoshi; (For US Only).
SONODA Tohru; (For US Only).
HASHIMOTO Satoshi; (For US Only)
Inventors: KAWATO Shinichi; .
INOUE Satoshi; .
SONODA Tohru; .
HASHIMOTO Satoshi;
Agent: IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 26th Floor, OAP TOWER, 8-30, Tenmabashi 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5306026 (JP)
Priority Data:
2011-054319 11.03.2011 JP
Title (EN) VAPOR DEPOSITION APPARATUS, VAPOR DEPOSITION METHOD, AND ORGANIC EL DISPLAY
(FR) APPAREIL DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR, PROCÉDÉ DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
(JA) 蒸着装置、蒸着方法、及び有機EL表示装置
Abstract: front page image
(EN)A vapor deposition apparatus is provided with: an evaporation source (60) provided with a plurality of evaporation source openings (61) for discharging deposition particles (91); a restriction unit (80) provided with a plurality of restriction openings (82); and a deposition mask (70) in which a plurality of mask openings (71) are formed only in a plurality of deposition regions (72) where deposition particles that have passed through the plurality of restriction openings reach. The plurality of deposition regions are positioned in the normal direction of a substrate (10) and in a second direction orthogonal to the direction in which the substrate moves so as to sandwich non-deposition regions (73) where deposition particles do not reach. When viewed in the normal direction of the substrate, the mask openings, through which deposition particles pass, are formed at different positions in the direction in which the substrate moves, relative to the non-deposition regions on lines parallel to the second direction. This configuration enables a vapor deposition coating with minimally-blurred edges to be stably formed at desired positions on the substrate.
(FR)L'invention concerne un appareil de dépôt en phase vapeur qui comporte : une source d'évaporation (60) comportant une pluralité d'ouvertures de source d'évaporation (61) servant à décharger des particules de dépôt (91) ; une unité d'étranglement (80) comportant une pluralité d'ouvertures d'étranglement (82) ; et un masque de dépôt (70) dans lequel est formée une pluralité d'ouvertures de masque (71), uniquement dans une pluralité de régions de dépôt (72) atteintes par les particules de dépôt qui sont passées par la pluralité d'ouvertures d'étranglement. La pluralité de régions de dépôt est positionnée dans la direction perpendiculaire à un substrat (10) et dans une seconde direction perpendiculaire à la direction dans laquelle le substrat se déplace, de façon à prendre en sandwich les régions de non dépôt (73) non atteintes par les particules de dépôt. Lorsque vues dans la direction perpendiculaire au substrat, les ouvertures de masque, à travers lesquelles passent les particules de dépôt, sont formées à différentes positions dans la direction dans laquelle le substrat se déplace, par rapport aux régions de non dépôt sur des lignes parallèles à la seconde direction. Cette configuration permet à un revêtement par dépôt en phase vapeur avec des bords à flou minimal, d'être formé de manière stable à des positions désirées sur le substrat.
(JA) 蒸着粒子(91)を放出する複数の蒸着源開口(61)を備えた蒸着源(60)と、複数の制限開口(82)を備えた制限ユニット(80)と、複数の制限開口をそれぞれ通過した蒸着粒子が到達する複数の蒸着領域(72)内のみに複数のマスク開口(71)が形成された蒸着マスク(70)とを備える。複数の蒸着領域は、基板(10)の法線方向及び基板の移動方向に直交する第2方向に沿って、蒸着粒子が到達しない非蒸着領域(73)を挟んで配置されている。基板の法線方向に沿って見たとき、第2方向に平行な直線上の非蒸着領域に対して、基板の移動方向において異なる位置に、蒸着粒子が通過するマスク開口が形成されている。これにより、端縁のボヤケが抑えられた蒸着被膜を、基板上の所望する位置に安定的に形成することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)