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Pub. No.:    WO/2012/124420    International Application No.:    PCT/JP2012/053348
Publication Date: 20.09.2012 International Filing Date: 14.02.2012
H01L 33/10 (2010.01), H01L 33/36 (2010.01)
Applicants: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (For All Designated States Except US).
MURAKI Noritaka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AIHARA Noriyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MURAKI Noritaka; (JP).
AIHARA Noriyuki; (JP)
Agent: SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Priority Data:
2011-055833 14.03.2011 JP
2011-203449 16.09.2011 JP
(JA) 発光ダイオード及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a light-emitting diode having a protective film and an electrode film thereabove formed to a uniform thickness, and a method for manufacturing the light-emitting diode. The light-emitting diode has, on an upper part, a flat portion and a mesa-structure unit having a sloped side surface and a top surface. At least some of each of the flat portion and the mesa-structure portion is covered by the protective film and the electrode film in the stated order. The sloped side surface is formed by wet etching, and the horizontal sectional area is formed continuously smaller toward the top surface. The protective film covers the sloped side surface, a peripheral region of the top surface, and at least some of the flat portion; and has an electrification window through which a portion of the front surface of a compound semiconductor layer is exposed within the peripheral region as seen from above. An electrode layer is a continuous film making direct contact with the front surface of the compound semiconductor layer exposed through the electrification window, and covering at least some of the protective film formed on the flat portion, the electrode layer formed so that a light emission hole is provided in the top surface of the mesa-structure portion.
(FR)La présente invention concerne une diode électroluminescente comportant un film protecteur et un film d'électrode situé dessus formé avec une épaisseur uniforme. L'invention concerne également un procédé de production de la diode électroluminescente. La diode électroluminescente comprend, sur une partie supérieure, une partie plate, et une unité à structure mesa présentant une surface latérale en pente et une surface supérieure. Au moins une partie parmi la partie plate et la partie à structure mesa est recouverte par le film protecteur et le film d'électrode dans l'ordre décrit. La surface latérale en pente est formée par gravure humide, et la zone transversale horizontale est formée en se rétrécissant de manière continue vers la surface supérieure. Le film protecteur recouvre la surface latérale en pente, une région périphérique de la surface supérieure, et au moins une partie de la partie plate. Le film protecteur comporte également une fenêtre d'électrification à travers laquelle une partie de la surface avant d'une couche semi-conductrice composée est exposée dans la région périphérique, lorsqu'on regarde par le dessus. Une couche d'électrode est un film continu réalisant un contact direct avec la surface avant de la couche semi-conductrice composée exposée à travers la fenêtre d'électrification, et recouvrant au moins une partie du film protecteur formé sur la partie plate. La couche d'électrode est formée de façon à ce qu'un trou d'émission de lumière soit disposé dans la surface supérieure de la partie à structure mesa.
(JA) 保護膜及びその上の電極膜が均一な膜厚で形成された発光ダイオード及びその製造方法が提供される。そのような発光ダイオードは、上部に平坦部と傾斜側面及び頂面を有するメサ型構造部とを有し、平坦部及びメサ型構造部はそれぞれ、少なくとも一部は保護膜、電極膜によって順に覆われ、傾斜側面はウェットエッチングによって形成されてなると共に頂面に向かって水平方向の断面積が連続的に小さく形成され、保護膜は、平坦部の少なくとも一部と、傾斜側面と、頂面の周縁領域とを覆うとともに、平面視して周縁領域の内側に化合物半導体層の表面の一部を露出する通電窓を有し、電極層は、前記通電窓から露出された化合物半導体層の表面に直接接触すると共に、前記平坦部上に形成された保護膜の一部を少なくとも覆い、前記メサ型構造部の頂面上に光射出孔を有するように形成された連続膜である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)