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1. (WO2012122875) MEMS PRESSURE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/122875    International Application No.:    PCT/CN2012/071488
Publication Date: 20.09.2012 International Filing Date: 23.02.2012
IPC:
G01L 1/18 (2006.01), G01L 9/06 (2006.01), B81B 7/02 (2006.01)
Applicants: MEMSEN ELECTRONICS INC [CN/CN]; 518 Room 5F, Building A3, Magnetic Plaza Binshuixi Road, Nankai District Tianjin 300381 (CN) (For All Designated States Except US).
LIU, Lianjun [US/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: LIU, Lianjun; (CN)
Agent: UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 7th Floor, Scitech Place No.22, Jian Guo Men Wai Ave. Chaoyang District, Beijing 100004 (CN)
Priority Data:
201110061456.5 15.03.2011 CN
Title (EN) MEMS PRESSURE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) CAPTEUR DE PRESSION MEMS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) MEMS压力传感器及其制作方法
Abstract: front page image
(EN)An MEMS pressure sensor comprising: a first substrate (100) having a sensing diaphragm (101a) of a piezoelectric pressure sensor unit (101), an electrical connection diffusion layer (103), and a first bonding layer (102) on a surface of the first substrate (100), a second substrate (200) having an inter-conductor dielectric layer (203), a conductor connection layer (201) arranged within the inter-conductor dielectric layer (203), and a second bonding layer (202) on a surface of the second substrate (200). The second substrate (200) and the first substrate (100) are oppositely arranged, and are fixedly connected via the first bonding layer (102) and the second bonding layer (202); the first bonding layer (102) and the second bonding layer (202) have matching patterns and are both made from a conductive material. Also provided is a method for manufacturing the MEMS pressure sensor. The MEMS pressure sensor and the manufacturing method therefor allow for compatibility with integrated circuit manufacturing technique, for effectively reduced manufacturing costs, and for a downsized sensor.
(FR)L'invention concerne un capteur de pression MEMS comprenant : un premier substrat (100) présentant un film sensible )101a) d'une unité de détection de pression piézorésistive (101), une couche de diffusion à connexion électrique (103) et une première couche de liaison (102) de la surface du premier substrat (100); un second substrat (200) présentant une couche diélectrique inter-conductrice (203), une couche de connexion conductrice (201) placée dans la couche diélectrique inter-conductrice et une seconde couche de liaison (202) de la surface du second substrat. Le second substrat (200) est disposé en correspondance avec le premier substrat (100) et relié de manière fixe moyennant la première couche de liaison (102) et la seconde couche de liaison (202), les motifs desquelles couches étant en correspondance et lesquelles couches étant un matériau conducteur. Grâce au procédé de fabrication de ce capteur de pression MEMS, on assure la compatibilité avec le processus de fabrication du circuit électrique intégré de même que l'on réduit efficacement les coûts de fabrication et les dimensions du capteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)