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Pub. No.:    WO/2012/122869    International Application No.:    PCT/CN2012/071435
Publication Date: 20.09.2012 International Filing Date: 22.02.2012
H04R 31/00 (2006.01), H04R 19/04 (2006.01)
Applicants: MEMSEN ELECTRONICS INC [CN/CN]; 518 Room 5F, Building A3, Magnetic Plaza Binshuixi Road, Nankai District Tianjin 300381 (CN) (For All Designated States Except US).
LIU, Lianjun [US/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: LIU, Lianjun; (CN)
Agent: UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 7th Floor, Scitech Place No.22, Jian Guo Men Wai Ave. Chaoyang District, Beijing 100004 (CN)
Priority Data:
201110061552.X 15.03.2011 CN
(ZH) MEMS麦克风及其形成方法
Abstract: front page image
(EN)An MEMS microphone and a forming method therefor. The MEMS microphone comprises: a substrate, the substrate is provided with a first surface and a second surface opposite to the first surface, an opening running through the substrate, a plurality of connection electrodes formed on the first surface of the substrate, a dielectric layer arranged on the first surface of the substrate and covering the plurality of connection electrodes, a conductive plug arranged within the dielectric layer, a cavity arranged within the dielectric layer and in communication with the opening, a sensitive diaphragm arranged within the cavity, at least one sensitive diaphragm support arranged on a surface of the sensitive diaphragm, a sensitive diaphragm support arm partially arranged on a surface of the dielectric layer and connected to the sensitive diaphragm support, a fixed electrode corresponding to the sensitive diaphragm, a via formed within the fixed electrode and running through the fixed electrode, and a top-layer electrode electrically connected to the conductive plug. The present invention allows for reduced stress for the MEMS microphone, and for prevention of damages to the sensitive diaphragm and to the fixed electrode.
(FR)Microphone MEMS et son procédé de formation, lequel microphone MEMS comprend : un matériau de base présentant une première surface et une deuxième surface correspondant à la première surface; une ouverture traversant ledit matériau de base; une pluralité d'électrodes de connexion formées sur la première surface du matériau de base; une couche diélectrique déposée sur la première surface du matériau de base et recouvrant la pluralité d'électrodes de connexion; une fiche conductrice logée dans la couche diélectrique; une cavité pratiquée dans la couche diélectrique et en communication avec l'ouverture; un film sensible logé dans la cavité; au moins un support de film sensible placé sur la surface du film sensible; la branche d'un pont de support de film sensible reposant partiellement sur la surface de la couche diélectrique et connectée au support du film sensible; une électrode fixe en correspondance avec le film sensible, dans laquelle se forme une pluralité de trous d'interconnexion traversant l'électrode fixe; et une électrode supérieure connectée électriquement à la fiche conductrice. Cette invention permet de réduire la contrainte du microphone MEMS tout en évitant les dommages de l'électrode fixe et du film sensible.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)