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1. (WO2012121952) ELECTRODE CONFIGURATIONS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/121952    International Application No.:    PCT/US2012/027146
Publication Date: 13.09.2012 International Filing Date: 29.02.2012
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01)
Applicants: TRANSPHORM INC. [US/US]; 107 South La Patera Lane Goleta, California 93117 (US) (For All Designated States Except US).
DORA, Yuvaraj [IN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: DORA, Yuvaraj; (US)
Agent: BOROVOY, Roger S.; Fish & Richardson P.C. P. O. Box 1022 Minneapolis, Minnesota 55440-1022 (US)
Priority Data:
13/040,940 04.03.2011 US
Title (EN) ELECTRODE CONFIGURATIONS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) CONFIGURATIONS D'ÉLECTRODE DESTINÉES AUX DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A III-N semiconductor device can include an electrode-defining layer having a thickness on a surface of a III-N material structure. The electrode-defining layer has a recess with a sidewall, the sidewall comprising a plurality of steps. A portion of the recess distal from the III-N material structure has a first width, and a portion of the recess proximal to the III-N material structure has a second width, the first width being larger than the second width. An electrode is in the recess, the electrode including an extending portion over the sidewall of the recess. A portion of the electrode-defining layer is between the extending portion and the III-N material structure. The sidewall forms an effective angle of about 40 degrees or less relative to the surface of the III-N material structure.
(FR)Un dispositif à semi-conducteur III-N peut comprendre une couche définissant une électrode qui forme une épaisseur sur une surface d'une structure constituée d'une matière III-N. Ladite couche définissant une électrode possède un creux doté d'une paroi, et ladite paroi comprend une pluralité d'échelons. Une partie du creux qui est distale par rapport à ladite structure constituée d'une matière III-N comporte une première largeur, et une partie du creux qui est proximale par rapport à la structure constituée d'une matière III-N présente une seconde largeur, la première largeur étant plus importante que la seconde. Une électrode se trouve dans le creux, et cette électrode comprend une partie qui s'étend située au-dessus de la paroi du creux. Une partie de la couche définissant une électrode se trouve entre la partie qui s'étend et la structure constituée d'une matière III-N. La paroi forme un angle effectif d'un maximum de 40 degrés environ avec la surface de ladite structure constituée d'une matière III-N.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)