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1. (WO2012121766) SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING A CAPACITOR AND METAL WIRING INTEGRATED IN A SAME DIELECTRIC LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2012/121766 International Application No.: PCT/US2011/063413
Publication Date: 13.09.2012 International Filing Date: 06.12.2011
IPC:
H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 21/8247 (2006.01)
Applicants: LINDERT, Nick[US/US]; US (UsOnly)
INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard M/S: RNB-4-150 Santa Clara, California 95052, US (AllExceptUS)
Inventors: LINDERT, Nick; US
Agent: BERNADICOU, Michael A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, California 94085-4040, US
Priority Data:
13/041,17004.03.2011US
Title (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING A CAPACITOR AND METAL WIRING INTEGRATED IN A SAME DIELECTRIC LAYER
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE AYANT UN CONDENSATEUR ET UN CÂBLAGE DE MÉTAL INTÉGRÉS DANS UNE MÊME COUCHE DIÉLECTRIQUE
Abstract: front page image
(EN) Semiconductor structures having capacitors and metal wiring integrated in a same dielectric layer are described. For example, a semiconductor structure includes a plurality of semiconductor devices disposed in or above a substrate. One or more dielectric layers are disposed above the plurality of semiconductor devices. Metal wiring is disposed in each of the dielectric layers. The metal wiring is electrically coupled to one or more of the semiconductor devices. A metal-insulator-metal (MIM) capacitor is disposed in one of the dielectric layers, adjacent to the metal wiring of the at least one of the dielectric layers. The MIM capacitor is electrically coupled to one or more of the semiconductor devices.
(FR) L'invention concerne des structures semi-conductrices ayant des condensateurs et un câblage de métal intégrés dans une même couche diélectrique. Par exemple, une structure semi-conductrice comprend une pluralité de dispositifs semi-conducteurs disposés dans ou au-dessus d'un substrat. Une ou plusieurs couche(s) diélectrique(s) est (sont) disposée(s) au-dessus de la pluralité de dispositifs semi-conducteurs. Un câblage de métal est disposé dans chacune des couches diélectriques. Le câblage de métal est électriquement couplé à un ou plusieurs des dispositifs semi-conducteurs. Un condensateur métal-isolant-métal (MIM) est disposé dans une des couches diélectriques, adjacent au câblage de métal de la ou des couches diélectriques. Le condensateur MIM est électriquement couplé à un ou plusieurs des dispositifs semi-conducteurs.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)