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1. (WO2012121282) ULTRAVIOLET SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING ULTRAVIOLET SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/121282    International Application No.:    PCT/JP2012/055801
Publication Date: 13.09.2012 International Filing Date: 07.03.2012
IPC:
H01L 31/10 (2006.01), G01J 1/02 (2006.01)
Applicants: Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1,Higashikotari 1-chome,Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAMURA Kazutaka [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKAMURA Kazutaka; (JP)
Agent: KUNIHIRO Yasutoshi; 10F, Samty shinosaka front Bldg., 14-10, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2011-051030 09.03.2011 JP
Title (EN) ULTRAVIOLET SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING ULTRAVIOLET SENSOR
(FR) DÉTECTEUR D'ULTRAVIOLETS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DÉTECTEUR D'ULTRAVIOLETS
(JA) 紫外線センサ、及び紫外線センサの製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention has a p-type semiconductor layer (1) that mainly includes a solid solution of NiO and ZnO, an n-type semiconductor layer (2) that mainly includes ZnO and is bonded to the p-type semiconductor layer (1) in a state in which a part of the p-type semiconductor layer (1) is exposed at a surface thereof, and an internal electrode (3) embedded in the p-type semiconductor layer (1) and facing the n-type semiconductor layer (2). Both ends of the internal electrode (3) are exposed at both end faces of the p-type semiconductor layer (1), and a high-resistance layer (4) (first and second high-resistance layers (6), (7)) comprising an insulating material is formed so as to cover one end of the internal electrode (3). Of the high-resistance layers, the second high-resistance layer (7) is formed when the insulating material from the first high-resistance layer (6) diffuses into the p-type semiconductor layer (1). A first external electrode (5a) is electrically connected to the other end of the internal electrode (3), and a second external electrode (5b) is electrically connected to the n-type semiconductor layer (2). Variation of characteristics between products can thereby be reduced and an ultraviolet sensor is obtained having low dark current, favorable reliability, high sensitivity, and high output.
(FR)La présente invention comprend une couche semi-conductrice de type p (1) qui comprend principalement une solution solide de NiO et de ZnO, une couche semi-conductrice de type n (2) qui comprend principalement du ZnO et est collée à la couche semi-conductrice de type p (1) dans un état dans lequel une partie de la couche semi-conductrice de type p (1) est exposée au niveau d'une surface de celle-ci, et une électrode interne (3) incorporée dans la couche semi-conductrice de type p (1) et tournée vers la couche semi-conductrice de type n (2). Les deux extrémités de l'électrode interne (3) sont exposées aux deux faces d'extrémité de la couche semi-conductrice de type p (1), et une couche de haute résistance (4) (première et seconde couches de haute résistance (6), (7)) comprenant une matière isolante est formée de façon à recouvrir une extrémité de l'électrode interne (3). Parmi les couches de haute résistance, la seconde couche de haute résistance (7) est formée lorsque la matière isolante provenant de la première couche de haute résistance (6) se diffuse dans la couche semi-conductrice de type p (1). Une première électrode externe (5a) est connectée électriquement à l'autre extrémité de l'électrode interne (3), et une seconde électrode externe (5b) est connectée électriquement à la couche semi-conductrice de type n (2). Une variation de caractéristiques entre des produits peut ainsi être réduite et un détecteur d'ultraviolets est obtenu, qui présente un courant d'obscurité faible, une fiabilité favorable, une haute sensibilité et une sortie élevée.
(JA) NiOとZnOとの固溶体を主成分とするp型半導体層1と、p型半導体層1の一部が表面に露出した形態でp型半導体層1に接合されたZnOを主成分とするn型半導体層2と、n型半導体層2と対向状にp型半導体層1に埋設された内部電極3とを有している。内部電極3の両端は、p型半導体層1の両端面に露出されると共に、絶縁性材料からなる高抵抗層4(第1及び第2の高抵抗層6、7)が、内部電極3の一方の端部を覆うように形成されている。このうち第2の高抵抗層7は、第1の高抵抗層6からの絶縁性材料がp型半導体層1内に拡散されてなる。第1の外部電極5aは内部電極3の他方の端部と電気的に接続され、第2の外部電極5bはn型半導体層2と電気的に接続されている。これにより製品間における特性バラツキを抑制することができ、かつ暗電流も低く信頼性の良好な高感度、高出力の紫外線センサを実現する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)