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1. (WO2012121193) ETCHING LIQUID
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/121193    International Application No.:    PCT/JP2012/055519
Publication Date: 13.09.2012 International Filing Date: 05.03.2012
C23F 1/18 (2006.01)
Applicants: NAGASE CHEMTEX CORPORATION [JP/JP]; 1-17, Shinmachi 1-chome, Nishi-ku, Osaka-shi, Osaka 5508668 (JP) (For All Designated States Except US).
MUKAI, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YASUE, Hidekuni [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOSHIZAKI, Satoru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHIJIMA, Yoshitaka [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MUKAI, Yoshihiro; (JP).
YASUE, Hidekuni; (JP).
YOSHIZAKI, Satoru; (JP).
NISHIJIMA, Yoshitaka; (JP)
Agent: FURUTANI, Shinya; FURUTANI NAIGAI TOKKYO JIMUSHO, 1-27, Dojima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300003 (JP)
Priority Data:
2011-050200 08.03.2011 JP
(JA) エッチング液
Abstract: front page image
(EN)Provided is an etching liquid which provides a copper wiring line with a good forward tapered cross-sectional shape and is capable of easily forming a fine pattern circuit with little side etching. The etching liquid does not damage a transparent conductive film and has a stable etching rate, and waste etching liquid can be easily reused or recycled. Also provided is a method for forming a copper wiring line using the etching liquid. This etching liquid is used, in etching of a metal film that has at least one copper film and/or at least one copper alloy film, for the purpose of etching the copper film(s) and/or the copper alloy film(s) of the metal film, and contains: cupric ions and/or ferric ions; at least one kind of halogen ions; at least one kind of amino acid selected from among glycine, 2-amino propionic acid, 3-amino propionic acid, amino isobutyric acid, threonine, dimethyl glycine, ornithine, lysine, histidine and serine; at least one kind of carboxylic acid selected from among malic acid, citric acid and malonic acid and/or at least one kind of inorganic acid; and water. This method for forming a copper wiring line uses the etching liquid.
(FR)La présente invention concerne un liquide d'attaque chimique qui donne à une ligne de câblage en cuivre une forme satisfaisante en coupe transversale, à section décroissante vers l'avant, et permet de former un circuit à motifs fins sans difficulté et avec une faible attaque chimique latérale. Le liquide d'attaque chimique n'endommage pas un film conducteur transparent et présente une vitesse d'attaque chimique stable. De plus, le liquide d'attaque chimique excédentaire peut facilement être réutilisé ou recyclé. La présente invention concerne en outre un procédé de formation d'une ligne de câblage en cuivre à l'aide du liquide d'attaque chimique. Lors d'une attaque chimique d'un film métallique qui comporte au moins un film en cuivre et/ou au moins un film en un alliage de cuivre, un tel liquide d'attaque chimique est utilisé pour attaquer chimiquement le ou les films en cuivre et/ou le ou les films en un alliage de cuivre du film métallique et il contient : des ions cupriques et/ou des ions ferriques ; au moins un type d'ions halogènes ; au moins un type d'acide aminé sélectionné parmi la glycine, l'acide 2-aminopropionique, l'acide 3-aminopropionique, l'acide amino-isobutyrique, la thréonine, la diméthyl glycine, l'ornithine, la lysine, l'histidine et la sérine ; au moins un type d'acide carboxylique sélectionné parmi l'acide malique, l'acide citrique et l'acide malonique et/ou au moins un type d'acide inorganique ; et de l'eau. Ce procédé de formation d'une ligne de câblage en cuivre utilise le liquide d'attaque chimique.
(JA) 銅配線横断面に良好な順テーパー形状を与え、サイドエッチング量が少なく微細パターンの回路形成が容易で、透明導電膜にもダメージを与えず、エッチングレートが安定で、エッチング廃液のリユースやリサイクルが容易なエッチング液とそれを用いた銅配線の形成方法を提供する。本発明は、銅膜及び銅合金膜の少なくとも1層を有する金属膜の前記銅膜及び銅合金膜をエッチングするための、第二銅イオン及び第二鉄イオンのうち少なくとも1種、少なくとも1種のハロゲンイオン、グリシン、2-アミノプロピオン酸、3-アミノプロピオン酸、アミノイソ酪酸、トレオニン、ジメチルグリシン、オルニチン、リシン、ヒスチジン及びセリンのうちの少なくとも1種のアミノ酸、リンゴ酸、クエン酸及びマロン酸のうちの少なくとも1種のカルボン酸並びに/又は少なくとも1種の無機酸並びに水を含有するエッチング液とそれを用いた銅配線の形成方法である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)