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1. (WO2012119788) INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING SILICON CONTROLLED RECTIFIER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/119788    International Application No.:    PCT/EP2012/001074
Publication Date: 13.09.2012 International Filing Date: 09.03.2012
Chapter 2 Demand Filed:    09.01.2013    
IPC:
H01L 27/02 (2006.01)
Applicants: QPX GMBH [DE/DE]; Hubertusstrasse 5A 85614 Kirchseeon (DE) (For All Designated States Except US).
MERGENS, Markus, Paul, Josef [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: MERGENS, Markus, Paul, Josef; (DE)
Agent: JENSEN, Nils; Müller-Hoffmann & Partner Patentanwälte Innere Wiener Strasse 17 81667 München (DE)
Priority Data:
61/451,356 10.03.2011 US
Title (EN) INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING SILICON CONTROLLED RECTIFIER
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ INCLUANT UN REDRESSEUR COMMANDÉ AU SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)An integrated circuit includes a protected circuit. The integrated circuit further includes a silicon controlled rectifier including a sequence of a first p-type region, a second n-type region, a third p-type region and a fourth n-type region. The first n- type region is electrically coupled to the protected circuit. The integrated circuit further includes a first pn junction diode including a first semiconductor zone and one of the group including the second n-type region and the third p-type region as a second semiconductor zone. A conductivity type of the first semiconductor zone is opposite to the conductivity type of the second semiconductor zone. The integrated circuit further includes a first trigger circuit electrically coupled to the first semiconductor zone.
(FR)La présente invention a trait à un circuit intégré qui inclut un circuit protégé. Le circuit intégré inclut en outre un redresseur commandé au silicium qui inclut une séquence d'une première région de type p, d'une deuxième région de type n, d'une troisième région de type p et d'une quatrième région de type n. La première région de type n est électriquement couplée au circuit protégé. Le circuit intégré inclut en outre une première diode à jonction pn qui inclut une première zone semi-conductrice et un des éléments du groupe incluant la deuxième région de type n et la troisième région de type p en tant que seconde zone semi-conductrice. Le type de conductivité de la première zone semi-conductrice est opposé au type de conductivité de la seconde zone semi-conductrice. Le circuit intégré inclut en outre un premier circuit de déclenchement qui est électriquement couplé à la première zone semi-conductrice.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)