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1. (WO2012119336) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/119336    International Application No.:    PCT/CN2011/072956
Publication Date: 13.09.2012 International Filing Date: 18.04.2011
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/76 (2006.01)
Applicants: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3 Beitucheng West Road Chaoyang District, Beijing 100029 (CN) (For All Designated States Except US).
YIN, Haizhou [CN/US]; (US) (For US Only).
JIANG, Wei [CN/CN]; (CN) (For US Only).
LUO, Zhijiong [US/US]; (US) (For US Only).
ZHU, Huilong [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: YIN, Haizhou; (US).
JIANG, Wei; (CN).
LUO, Zhijiong; (US).
ZHU, Huilong; (US)
Agent: HANHOW INTELLECTUAL PROPERTY PARTNERS; ZHU, Haibo W1-1111, F/11, Oriental plaza No.1 East Chang An Avenue Dongcheng District, Beijing 100738 (CN)
Priority Data:
201110053301.7 04.03.2011 CN
Title (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CETTE DERNIÈRE
(ZH) 一种半导体结构及其制造方法
Abstract: front page image
(EN)A manufacturing method of a semiconductor structure is provided, which includes following steps: forming a first contact layer(300) on an active area exposed by a first sidewall(240-1); forming a second sidewall(240-2) which covers part of the exposed active area on an area near a gate stack in the first contact layer(300); forming a second contact layer(310) on left exposed active area, wherein, when the diffusion coefficient of the first contact layer(300) is equal to that of the second contact layer(310), the thickness of the first contact layer(300) is less than the thickness of the second contact layer(310); when the diffusion coefficient of the first contact layer(300) is different from that of the second contact layer(310), the diffusion coefficient of the first contact layer(300) is less than the diffusion coefficient of the second contact layer(310). Correspondingly, a semiconductor structure is also provided. The semiconductor structure is beneficial to reduce the diffusion of the component in the contact layers to the groove area, and beneficial to reduce the short channel effect and increase the reliability of the semiconductor structure.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice qui comprend les étapes suivantes consistant à : former une première couche de contact (300) sur une zone active exposée par une première paroi latérale (240-1) ; former une deuxième paroi latérale (240-2) qui recouvre une partie de la zone active exposée sur une zone située près d'un empilement de grilles sur la première couche de contact (300) ; former une deuxième couche de contact (310) sur la zone active exposée côté gauche. Lorsque le coefficient de diffusion de la première couche de contact (300) est égal à celui de la deuxième couche de contact (310), l'épaisseur de la première couche de contact (300) est inférieure à l'épaisseur de la deuxième couche de contact (310) ; lorsque le coefficient de diffusion de la première couche de contact (300) est différent de celui de la deuxième couche de contact (310), le coefficient de diffusion de la première couche de contact (300) est inférieur au coefficient de diffusion de la deuxième couche de contact (310). Par conséquent, on obtient également une structure semi-conductrice. La structure semi-conductrice est avantageuse pour réduire la diffusion du composant dans les couches de contact jusqu'à la zone des rainures et est avantageuse pour réduire l'effet de canal court et augmenter la fiabilité de la structure semi-conductrice.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)