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1. (WO2012118951) SILICON GERMANIUM MASK FOR DEEP SILICON ETCHING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2012/118951 International Application No.: PCT/US2012/027245
Publication Date: 07.09.2012 International Filing Date: 01.03.2012
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/8242 (2006.01)
Applicants: SERRY, Mohamed[EG/EG]; EG (UsOnly)
RUBIN, Andrew[IE/SA]; SA (UsOnly)
ABDO, Mohammad[EG/EG]; EG (UsOnly)
SEDKY, Sherif[EG/EG]; EG (UsOnly)
KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY[SA/SA]; 4700 King Abdullah University And Technology Building 16, Room 4518 Thuwal, 23955-6900, SA (AllExceptUS)
THE AMERICAN UNIVERSITY IN CAIRO[US/EG]; 113 Kasr El Aini Street P.o. Box 2511 Cairo, 11511, EG (AllExceptUS)
Inventors: SERRY, Mohamed; EG
RUBIN, Andrew; SA
ABDO, Mohammad; EG
SEDKY, Sherif; EG
Agent: FOX, Harold, H.; Steptoe & Johnson LLP 1330 Connecticut Avenue, NW Washington, DC 20036, US
Priority Data:
61/448,02201.03.2011US
61/592,37530.01.2012US
Title (EN) SILICON GERMANIUM MASK FOR DEEP SILICON ETCHING
(FR) MASQUE AU SILICIUM-GERMANIUM POUR GRAVURE PROFONDE DU SILICIUM
Abstract:
(EN) Polycrystalline silicon germanium (SiGe) can offer excellent etch selectivity to silicon during cryogenic deep reactive ion etching in an SF6/O2 plasma. Etch selectivity of over 800:1 (Si:SiGe) may be achieved at etch temperatures from -80 degrees Celsius to -140 degrees Celsius. High aspect ratio structures with high resolution may be patterned into Si substrates using SiGe as a hard mask layer for construction of microelectromechanical systems (MEMS) devices and semiconductor devices.
(FR) La présente invention concerne un silicium-germanium (SiGe) polycristallin pouvant offrir une excellente sélectivité de gravure pour le silicium lors d'une gravure profonde cryogénique par ions réactifs dans un plasma SF6/O2. Une sélectivité de gravure de plus de 800:1 (Si:SiGe) peut être obtenue à des températures de gravure allant de -80 degrés Celsius à -140 degrés Celsius. On peut former des motifs de structures à facteur de forme élevé et à haute résolution dans des substrats Si en utilisant du SiGe comme couche de masquage rigide pour la construction de dispositifs à systèmes microélectromécaniques (MEMS) et de dispositifs à semi-conducteurs.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)