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1. (WO2012117825) SOLAR CELL AND PROCESS OF MANUFACTURING SOLAR CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/117825    International Application No.:    PCT/JP2012/052939
Publication Date: 07.09.2012 International Filing Date: 09.02.2012
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: SANYO Electric Co., Ltd. [JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP) (For All Designated States Except US).
MORI, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MORI, Hiroyuki; (JP)
Agent: MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Priority Data:
2011-042124 28.02.2011 JP
Title (EN) SOLAR CELL AND PROCESS OF MANUFACTURING SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池及び太陽電池の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a solar cell having improved conversion efficiency and reliability with high yield. A solar cell (1) comprises a solar cell substrate (20), an n-side electrode (14), a p-side electrode (15), and a semiconductor layer (17). The solar cell substrate (20) has a first main surface (20a) and a second main surface (20b). The first main surface (20a) contains an n-type surface (20an) and a p-type surface (20ap). The n-side electrode (14) is connected to the n-type surface (20an). The p-side electrode (15) is connected to the p-type surface (20ap). The semiconductor layer (17) is arranged on the second main surface (20b). The semiconductor layer (17) has a surface layer containing a p-type impurity.
(FR)La présente invention vise à procurer une cellule solaire ayant une efficacité et une fiabilité de conversion améliorées à rendement élevé. La cellule solaire (1) comprend un substrat de cellule solaire (20), une électrode côté n (14), une électrode côté p (15) et une couche semi-conductrice (17). Le substrat de cellule solaire (20) présente une première surface principale (20a) et une seconde surface principale (20b). La première surface principale (20a) contient une surface de type n (20an) et une surface de type p (20ap). L'électrode côté n (14) est connectée à la surface de type n (20an). L'électrode de côté p (15) est connectée à la surface de type p (20ap). La couche semi-conductrice (17) est disposée sur la seconde surface principale (20b). La couche semi-conductrice (17) présente une couche de surface contenant une impureté de type p.
(JA)改善された変換効率や信頼性を有する太陽電池を歩留り良く提供する。 太陽電池1は、太陽電池基板20と、n側電極14と、p側電極15と、半導体層17とを備えている。太陽電池基板20は、第1の主面20aと第2の主面20bとを有する。第1の主面20aは、n型表面20an及びp型表面20apを含む。n側電極14は、n型表面20anに接続されている。p側電極15は、p型表面20apに接続されている。半導体層17は、第2の主面20bの上に配されている。半導体層17は、p型不純物を含有している表層を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)