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1. (WO2012117533) THROUGH-HOLE PLATING METHOD AND SUBSTRATE MANUFACTURED USING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/117533    International Application No.:    PCT/JP2011/054725
Publication Date: 07.09.2012 International Filing Date: 02.03.2011
IPC:
C25D 5/02 (2006.01), C25D 7/00 (2006.01), C25D 17/10 (2006.01), H05K 3/42 (2006.01)
Applicants: MEIKO ELECTRONICS CO., LTD. [JP/JP]; 5-14-15, Ogami, Ayase-shi, Kanagawa 2521104 (JP) (For All Designated States Except US).
TANEKO, Noriaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAITO, Yoichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKII, Shukichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TANEKO, Noriaki; (JP).
SAITO, Yoichi; (JP).
TAKII, Shukichi; (JP)
Agent: NAGATO, Kanji; 5F, HYAKURAKU Bldg., 8-1, Shinbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004 (JP)
Priority Data:
Title (EN) THROUGH-HOLE PLATING METHOD AND SUBSTRATE MANUFACTURED USING SAME
(FR) PROCÉDÉ DE MÉTALLISATION DE TROUS D'INTERCONNEXION ET SUBSTRAT FABRIQUÉ AU MOYEN D'UN TEL PROCÉDÉ
(JA) 貫通穴めっき方法及びこれを用いて製造された基板
Abstract: front page image
(EN)Using a substrate intermediate (4) having through-holes (7) passing through an insulating layer (6) and two electroconductive masks (5) having openings at positions corresponding to the through-holes (7), the entirety of front and rear surfaces of the substrate intermediate (4) is covered by the electroconductive masks (5) such that the positions of the openings are in alignment with the through-holes (7), and the electroconductive masks (5) are caused to adhere tightly to at least some of the front and rear surfaces of the substrate intermediate (4) so that an article to be plated (2) is formed. The article to be plated (2) is dipped in a plating liquid (3), a metal is deposited on the entire front surface of the plated article (2) including inner surfaces of the through-holes (7) so that a plating treatment is performed, and the electroconductive masks (5) are removed from the substrate intermediate (4).
(FR)La présente invention concerne l'utilisation d'un substrat intermédiaire (4) comportant des trous d'interconnexion (7) traversant une couche isolante (6) et deux masques électro-conducteurs (5) comprenant des ouvertures à des positions correspondant aux trous d'interconnexion (7), l'ensemble des surfaces avant et arrière du substrat intermédiaire (4) étant recouvert par les masques électro-conducteurs (5) de sorte que les positions des ouvertures soient alignées avec les trous d'interconnexion (7), et les masques électro-conducteurs (5) soient amenés à adhérer fortement à au moins une partie des surfaces avant et arrière du substrat intermédiaire (4) pour qu'un article à être métallisé (2) soit formé. L'article à être métallisé (2) est immergé dans un bain de métallisation (3), un métal est déposé sur l'ensemble de la surface avant de l'article métallisé (2) comprenant les surfaces internes des trous d'interconnexion (7) de sorte qu'un traitement de métallisation soit effectué, et les masques électro-conducteurs (5) soient enlevés depuis le substrat intermédiaire.
(JA)絶縁層6を貫通した貫通穴7を有する基板中間体4と、前記貫通穴7に対応した位置に開口部を有する2枚の導電性マスク5とを用い、前記開口部の位置を前記貫通穴7に合わせて前記基板中間体4の表裏両面の全域を前記各導電性マスク5で覆い、前記基板中間体4の表裏両面の少なくとも一部に、それぞれの前記導電性マスク5を密着させて被めっき処理体2を形成し、該被めっき処理体2をめっき液3に浸漬し、前記貫通穴7の内面を含んだ前記被めっき処理体2の表面全体に金属を付着させてめっき処理し、前記基板中間体4から前記導電性マスク5を除去する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)