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1. (WO2012117469) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2012/117469 International Application No.: PCT/JP2011/006077
Publication Date: 07.09.2012 International Filing Date: 31.10.2011
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: HONMA, Kazunari[JP/JP]; JP (UsOnly)
SANYO ELECTRIC CO., LTD.[JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677, JP (AllExceptUS)
Inventors: HONMA, Kazunari; JP
Agent: MORISHITA, Sakaki; 2-11-12, Ebisu-Nishi, Shibuya-ku, Tokyo 1500021, JP
Priority Data:
2011-04240228.02.2011JP
Title (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
Abstract: front page image
(EN) A photoelectric conversion device (10) is provided with a photoelectric conversion layer (14) that has a first semiconductor layer (12) with one conductivity type. The photoelectric conversion layer (14) has a plurality of first columnar parts (20) formed on a back surface (18) side, which is on the opposite side from a light receiving surface (16), and an insulating part (22) provided so as to surround the side surfaces of the plurality of first columnar parts (20) and having an index of refraction smaller than the first columnar parts (20). The first columnar parts (20) have a diameter or diagonal line that is shorter than the wavelength of at least part of the light in the light passing through the first semiconductor layer (12), and a second semiconductor layer (24) that has a conductivity type that is the reverse of that of the first semiconductor layer (12) is formed.
(FR) L'invention concerne un dispositif de conversion photoélectrique (10) comprenant une couche de conversion photoélectrique (14) comportant une première couche semiconductrice (12) ayant un type de conductivité. La couche de conversion photoélectrique (14) a une pluralité de premières parties en colonne (20) formées sur le côté d'une surface arrière (18) qui se trouve sur le côté opposé à une surface de réception de lumière (16) et une partie isolante (22) disposée pour entourer les surfaces latérales de la pluralité de premières parties en colonne (20) et ayant un indice de réfraction inférieur à celui des premières parties en colonne (20). Les premières parties en colonne (20) ont un diamètre ou une diagonale qui est plus courte que la longueur d'onde d'au moins une partie de la lumière qui traverse la première couche semiconductrice (12) et une seconde couche semiconductrice (24) est formée, laquelle a un type de conductivité qui est l'inverse de celui de la première couche semiconductrice (12).
(JA)  光電変換装置10は、一導電型の第1の半導体層12を有する光電変換層14を備える。光電変換層14は、受光面16とは反対側の裏面18側に形成されている複数の第1の柱状部20と、複数の第1の柱状部20の側面を囲むように設けられ、第1の柱状部20よりも屈折率が小さい絶縁部22と、を有する。第1の柱状部20は、第1の半導体層12を通過した光の少なくとも一部の光の波長より短い直径または対角線を有するとともに、第1の半導体層12に対して逆導電型の第2の半導体層24が形成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)